東芝NAND閃存：TC58NYG1S3HBAI4
TC58NYG1S3HBAI4
TC58NYG1S3HBAI4 是一個單一的 1.8V 2Gbit(2,281 ，701 ，376 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，128)字節(jié)× 64 頁× 2048 塊。該裝置具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2176字節(jié)增量傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實現(xiàn)。
TC58NYG1S3HBAI4是一種串行型存儲設備，它使用I/O引腳進行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使該設備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-06
