東芝NAND閃存：TC58BVG0S3HBAI6
TC58BVG0S3HBAI6
TC58BVG0S3HBAI6 是一個(gè)單一的 3.3V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，64)字節(jié)× 64 頁× 1024 塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。
TC58BVG0S3HBA6是一種串行式存儲器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。擦除和編程操作將自動(dòng)全部Y執(zhí)行使得該設(shè)備最適合于應(yīng)用,例如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜止照相機(jī)的圖像文件存儲器以及需要高密度非VO的其它系統(tǒng),
TC58BVG0S3HBAI6芯片上有ECC邏輯，每528位字節(jié)都可以內(nèi)部更正。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-04
