東芝NAND閃存：TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6
TC58BYG2S0HBAI6是一個1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數據。擦除操作是在單個塊單元中實現的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。
TC58BYG2S0HBAI6是一種串行式存儲器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統(tǒng)。
TC58BYG2S0HBAI6芯片上有ECC邏輯，每528位字節(jié)的8位讀取錯誤可以內部糾正。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
