東芝NAND閃存：TC58NYG1S3HBAI6
TC58NYG1S3HBAI6
TC58NYG1S3HBAI6是一個(gè)1.8V2Gbit(2,281,701,376位)NAND電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+128)字節(jié)或64頁或2048塊。該設(shè)備具有兩個(gè)2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和內(nèi)存單元數(shù)組之間傳輸。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。
TC58NYG1S3HBAI6是一種串行式存儲(chǔ)器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和程序操作，使該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語音記錄、靜止相機(jī)圖像文件存儲(chǔ)器等應(yīng)用。以及其他需要高密度、非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-06
