東芝NAND閃存：TC58BVG0S3HBAI4
TC58BVG0S3HBAI4
TC58BVG0S3HBAI4是一個(gè)單一的3.3V1Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲(chǔ)器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該設(shè)備具有一個(gè)2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元數(shù)組之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4K字節(jié)：2112字節(jié)×64頁)。
TC58BVG0S3HBA4是一種串行式存儲(chǔ)器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。擦除和編程操作將自動(dòng)全部Y執(zhí)行使得該設(shè)備最適合于應(yīng)用,例如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語音記錄、用于靜止照相機(jī)的圖像文件存儲(chǔ)器以及需要高密度非VO的其它系統(tǒng)。
芯片上的 TC58 BVG0S 3HBAI4 具有 ECC 邏輯，每 528 字節(jié)的 8 位讀取錯(cuò)誤可以在內(nèi)部校正。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
