東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0是一個(gè)單獨(dú)的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND電可擦和可編程只讀存儲(chǔ)器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁(yè)×2048塊。該設(shè)備具有一個(gè)2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元數(shù)組之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4K字節(jié)：2112字節(jié)×64頁(yè))。
TC58 BVG1S 3HTAI0 是一種串行類型的存儲(chǔ)器設(shè)備，它利用 I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語(yǔ)音記錄、用于靜態(tài)照相機(jī)的圖像文件存儲(chǔ)器其它需要高密度非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
TC58BVG1S3HTA0在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內(nèi)部校正每個(gè)528字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
