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封裝廠當(dāng)心,傳三星新工法搶回蘋果Nand Flash訂單

關(guān)鍵字:NAND Flash封裝 三星存儲 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-09-05  瀏覽:7

NAND Flash的“電磁波屏蔽”(EMI shielding)封裝技術(shù)

臺灣封裝廠小心!據(jù)傳三星電子和SK海力士(SK Hynix)都在研發(fā)NAND Flash的“電磁波屏蔽”(EMI shielding)封裝技術(shù),三星更搶回iPhone的NAND Flash訂單。

韓媒etnews 19日報導(dǎo),三星曾是iPhone的NAND Flash供應(yīng)商,兩者合約在2012年告終,原因是三星不愿在NAND Flash封裝過程中加入電磁波屏蔽。如今內(nèi)存市況惡化,三星平澤(Pyeongtaek)廠又將在2017年量產(chǎn)3D NAND Flash,外傳三星擔(dān)心NAND供過于求,因此決定重回蘋果NAND Flash供應(yīng)鏈。

報導(dǎo)稱,電磁波屏蔽封裝是在芯片上覆蓋超薄金屬,由于三星NAND Flash采用球型陣列封裝(Ball Grid Array,BGA),傳統(tǒng)的濺鍍(Sputtering)工法不易完全覆蓋球形底座。三星因而研發(fā)出涂布(Spray)新工法,解決此一困擾,而且成本更低,估計2017年開始供貨。

業(yè)界人士說,BGA比閘型陣列封裝(Land Grid Array,LGA)更進(jìn)步,芯片會更為輕薄。當(dāng)前SK海力士找日月光進(jìn)行蘋果NAND Flash封裝,外傳SK海力士也在研發(fā)類似三星的工法。

據(jù)稱今年問世的iPhone 7,多數(shù)芯片都將有電磁波屏蔽功能,可避免芯片相互干擾,電路板能更密集排列,節(jié)省空間,好擴(kuò)充電池容量。

編輯:admin  最后修改時間:2019-09-04

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