聯(lián)電搶攻利基型內存，準備于泉州市合資設立?12?寸廠
隨著中國武漢新芯內存基地在3月28日正式啟動，準備瞄準NAND Flash產業(yè)，并在2030年成為月產能100萬片的半導體巨人的威脅之下，原本預估其他廠商可能陸續(xù)退出市場。不過，卻有廠商反其道而行。晶圓代工大廠聯(lián)電就宣布，目前正積極規(guī)劃切入利基型內存代工的市場，而且現(xiàn)正招聘人手中，并且逐步開始準備小量試產。
根據聯(lián)電指出，聯(lián)電現(xiàn)已針對切入利基型內存代工成立專案小組，并由甫加入聯(lián)電擔任副總經理的前瑞晶總經理陳正坤領軍。至于，其他包括技術授權、與對岸合資計劃，建廠進度，投資金額等內容，則待雙方簽訂合約后才能公布。
另外，聯(lián)電為擴大在內存市場的布局，也開始規(guī)劃與大陸泉州市政府合作，在泉州興建12寸晶圓廠，切入利基型內存代工。對此，聯(lián)電內部也成立相關的專案小組，進行包括內存工程師人才的招募，以及在南科廠區(qū)設立小量產線試產等地工作。由于聯(lián)電在本周即將召開相關內存制程的設備廠商大會，針對南科廠區(qū)的小型產線設備進行報價工作。因此，預計聯(lián)電的內存代工事業(yè)將會自臺灣開始出發(fā)，逐步再向中國市場擴展。
由于聯(lián)電一直擁有嵌入式快閃內存技術，加上陳正坤進入聯(lián)電集團之后，未來除了有機會搶進嵌入式快閃內存之外，還有機會在利基型DRAM市場一較長短。由于內存產業(yè)被中國政府列為重點發(fā)展，因此包括儲存型快閃內存（NAND Flash）及利基型內存（DRAM）市場都將快速發(fā)展下，聯(lián)電希望能藉此取得一席之地。
不過，原本聯(lián)電期望由與廈門市政府合資的聯(lián)芯半導體，原本也打算爭取列入中國國家級NAND Flash和DRAM指標企業(yè)，但最后卻由清華紫光旗下的同方國芯出線。但是，聯(lián)電卻并未因此放棄在中國設立內存代工廠的計劃，在泉州市政府積極爭取與聯(lián)電合資后，雙方將準備在泉州設立中國南方首座內存代工業(yè)務，同時協(xié)助中國相關利基型內存IC設計公司成立，建構完整垂直生態(tài)供應鏈的方向邁進。
編輯：admin 最后修改時間：2017-09-05
