東芝NAND閃存：TH58NYG3S0HBAI6
TH58NYG3S0HBAI6
TH58NYG3S0HBaI6是一個(gè)1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+256)字節(jié)或64頁或4096塊。該設(shè)備具有兩個(gè)4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)×64頁)。
TH58NYG3S0HBAI6是一種串行式存儲器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機(jī)圖像文件存儲器等應(yīng)用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-06
