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東芝NAND閃存:TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

關(guān)鍵字:東芝閃存 toshiba存儲 NAND閃存 作者: 來源: 發(fā)布時(shí)間:2019-09-04  瀏覽:32

TC58BVG2S0HTA00是一個(gè)單獨(dú)的3.3V4Gbit(4,429,185,024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM),組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器,允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié),8千字節(jié):4224字節(jié)×64頁)。

TC58BVG2S0HTA00是一種串行型存儲設(shè)備,它使用I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機(jī)的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。

TC58BVG2S0HTA00在芯片上具有ECC邏輯,每個(gè)528字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤可在內(nèi)部進(jìn)行校正

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2019-09-05

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