三星擬擴(kuò)產(chǎn) 3D NAND閃存 外資：2017 年產(chǎn)能將拉高近 4 成
韓國經(jīng)濟(jì)日報（KoreaEconomic Daily）15日報導(dǎo)，三星電子（SamsungElectronics Co.）打算在2017年底前擴(kuò)充3D NAND型快閃內(nèi)存產(chǎn)能，總共要斥資25兆韓元，主要擴(kuò)產(chǎn)的是位于中國西安的廠房，預(yù)定今年稍晚會于該廠新設(shè)一條3DNAND生產(chǎn)線，另外還將在韓國平澤市的廠房投入資本。雖然根據(jù)韓國時報報導(dǎo)，三星電子已在15日稍早否認(rèn)上述消息，宣稱3DNAND的投資內(nèi)容尚未敲定，但分析師似乎認(rèn)為韓媒的報導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。
穎特新科技訊：J.P.摩根發(fā)布研究報告指出，三星應(yīng)該會在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓（西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片）。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開，且該公司還計劃把Line16廠的部分2DNAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。
另外，三星也將善用Line17廠在2樓的空間，于明年投產(chǎn)3DNAND。依據(jù)上述假設(shè)，J.P.摩根估計三星明年底的3DNAND月產(chǎn)能將攀升至22萬片（西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line 17廠近4萬片），等于比今年底的月產(chǎn)能（16萬片）擴(kuò)充37.5%，并占業(yè)界總體產(chǎn)能的12%。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-04
