武漢新芯50nm代碼型閃存芯片量產(chǎn)，逼近物理極限
據(jù)武漢新芯集成電路制造有限公司消息，其自主研發(fā)的50納米浮柵式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片已于近日全線量產(chǎn)。
目前，在全球NOR Flash存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，業(yè)界通用技術(shù)為65納米。武漢新芯新一代50納米技術(shù)，已逼近此類(lèi)芯片的物理極限，無(wú)論是存儲(chǔ)單元面積還是存儲(chǔ)密度，均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
據(jù)了解，武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破，隨后投入量產(chǎn)準(zhǔn)備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個(gè)月。
Flash指非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)。此次量產(chǎn)產(chǎn)品為寬電源電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16兆到256兆。性能測(cè)試顯示，在1.65伏至3.6伏電壓范圍內(nèi)，該系列NOR Flash存儲(chǔ)芯片的工作頻率可達(dá)133兆赫，即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下，依然不會(huì)停止“芯跳”。其無(wú)障礙重復(fù)擦寫(xiě)可達(dá)10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年。
研發(fā)人員介紹，作為NOR Flash存儲(chǔ)芯片中的“閃電俠”，該芯片在連續(xù)讀取模式下，能實(shí)現(xiàn)高效的存儲(chǔ)器訪問(wèn)，僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期，即可讀取24位地址。不僅如此，它還可使便攜式設(shè)備的電池壽命延長(zhǎng)1.5倍以上，令用戶(hù)通過(guò)寬電壓功能實(shí)現(xiàn)更好的庫(kù)存管理。
“對(duì)此次研發(fā)而言，最難的挑戰(zhàn)是速度、功耗和可靠性！蔽錆h新芯運(yùn)營(yíng)中心副總裁孫鵬說(shuō)，隨著50納米NOR閃存的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進(jìn)一步提高競(jìng)爭(zhēng)力，針對(duì)快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)和5G市場(chǎng)，持續(xù)研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線。
近期，武漢新芯與業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)核心芯片和解決方案平臺(tái)樂(lè)鑫科技達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)，在物聯(lián)網(wǎng)、存儲(chǔ)器芯片與應(yīng)用方案開(kāi)發(fā)上展開(kāi)合作。樂(lè)鑫科技CEO張瑞安表示，武漢新芯NOR Flash存儲(chǔ)芯片，支持低功耗、寬電壓工作，能滿(mǎn)足該平臺(tái)全系物聯(lián)網(wǎng)芯片、智能家居及工業(yè)模組的應(yīng)用要求。
武漢新芯成立于2006年，專(zhuān)注于NOR Flash存儲(chǔ)芯片的研發(fā)制造，并以全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體三維集成制造技術(shù)，在圖像傳感器、射頻芯片、DRAM存儲(chǔ)器等產(chǎn)品上，不斷實(shí)現(xiàn)性能和架構(gòu)突破。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2020-06-05
