SAMSUNG量產(chǎn)3D Vertical NAND FLASH

作者：來源: 發(fā)布時間：2020-06-02 瀏覽：4

關(guān)鍵字：業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先的韓國三星公司宣布，該公司已經(jīng)成功研發(fā)并量首新型NAND閃存--3D Vertical NAND flash。三星公司表示新型NAND閃存將能夠大幅提升存儲容量的同時，產(chǎn)品的可靠性、擴展性以及性也將會獲得很大的提升。新產(chǎn)品為3D Vertical NAND閃存，可用于消費類或者企業(yè)級嵌入式存儲應(yīng)用以及SSD硬盤產(chǎn)品。通過3D Charge Trap Flash (CTF)技術(shù)以及vertical interconnect技術(shù)的應(yīng)用，三星公司能夠?qū)崿F(xiàn)單芯片容量128Gb。對此三星公司將這項技術(shù)形容為“重新設(shè)計了CTF架構(gòu)。” 三星公司表示，V-NAND閃存在產(chǎn)品可靠性上將可獲得2-10倍的提升，寫入性能將會倍增，同時這項技術(shù)能夠支持最多24層產(chǎn)品設(shè)計。

最新的產(chǎn)品型號為 K9PKGY8S7M-CCK0

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編輯：admin 最后修改時間：2020-06-02

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