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這些芯片,將大幅漲價(jià)

關(guān)鍵字:三星芯片 SK海力士芯片 美光芯片 發(fā)布時(shí)間:2024-03-11

全球三大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士、美光全力搶攻高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)、DDR5等兩大新市場(chǎng),新產(chǎn)能均投入相關(guān)新品,無(wú)暇兼顧利基型應(yīng)用的DDR3規(guī)格DRAM市場(chǎng),近期AI、網(wǎng)通需求竄升,DDR3出現(xiàn)供給吃緊,價(jià)格水漲船高,臺(tái)廠由華邦開(kāi)出漲價(jià)第一槍?zhuān)瑘?bào)價(jià)漲幅上看兩成。

法人看好,華邦大幅調(diào)漲DDR3報(bào)價(jià),不僅有利華邦基本面走勢(shì),鈺創(chuàng)、晶豪科等DRAM供應(yīng)商后續(xù)也有機(jī)會(huì)跟上這波漲勢(shì),同步吃香。

業(yè)界人士分析,AI今年成為終端市場(chǎng)主流,引動(dòng)HBM需求爆發(fā),甚至出現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì),由于價(jià)格相對(duì)高且利潤(rùn)佳,三星、SK海力士、美光積極投入HBM的生產(chǎn),主要產(chǎn)能并同步瞄準(zhǔn)最新的DDR5市場(chǎng)商機(jī),對(duì)于相對(duì)舊規(guī)格的DDR4及DDR3等DRAM則選擇維持在減產(chǎn)前的產(chǎn)能,甚至逐步淡出DDR3市場(chǎng)。

全球三大存儲(chǔ)器廠無(wú)暇兼顧DDR3市場(chǎng)之際,隨著物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通及車(chē)用等大量終端市場(chǎng)仍在使用舊規(guī)格的DRR3或DDR4,但由于導(dǎo)入AI技術(shù)后,終端產(chǎn)品對(duì)DDR3亦有容量升級(jí)的需求,在需求大開(kāi)、制造商產(chǎn)能供應(yīng)未增的情況下,DDR3市場(chǎng)自去年完成庫(kù)存去化后,今年第2季開(kāi)始,DDR3傳出將開(kāi)始面臨供給吃緊、推升價(jià)格走揚(yáng)。

業(yè)界指出,三星、美光及SK海力士去年第4季及今年第1季已經(jīng)陸續(xù)喊漲DDR3,近期華邦則規(guī)畫(huà)在第2季調(diào)升DDR3規(guī)格DRAM,且一口氣要大漲兩成,成為臺(tái)灣第一家率先大規(guī)模漲價(jià)的存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商。

據(jù)了解,DDR3目前已經(jīng)是利基型存儲(chǔ)器,主要應(yīng)用在網(wǎng)通、物聯(lián)網(wǎng)或穿戴裝置等終端產(chǎn)品線(xiàn),雖然目前DDR4需求正逐步崛起,但市面上仍以DDR3為主要應(yīng)用利基型存儲(chǔ)器,隨著終端市場(chǎng)近期掀起回溫,成為DDR3需求步入供給吃緊的另一大主因。

華邦總經(jīng)理陳沛銘先前指出,預(yù)估第2季或第3季的DDR3市場(chǎng)即會(huì)達(dá)到供需平衡或略微供不應(yīng)求的狀況,有助價(jià)格上漲趨勢(shì),對(duì)以DDR3為營(yíng)收主力的華邦營(yíng)運(yùn)有利。

華邦2022年已宣布將持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)DDR3產(chǎn)品線(xiàn),且預(yù)期在未來(lái)十年繼續(xù)生產(chǎn)DDR3,涵蓋LPDDR3、1Gb至4Gb的DDR3等產(chǎn)品,并將其應(yīng)用在AI加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、電信、WiFi 6/6E及光纖等相關(guān)應(yīng)用。華邦目前在DRAM相關(guān)營(yíng)收占比仍維持過(guò)半水平,又以DDR3為大宗。

DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收,季增近3成

據(jù)集邦科技(TrendForce)研究顯示,受惠于備貨動(dòng)能回溫,以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn),主流產(chǎn)品的合約價(jià)格走揚(yáng),帶動(dòng)去(2023)年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)174.6億美元,季增29.6%。TrendForce指出,目前觀察2024年第一季DRAM市場(chǎng)趨勢(shì),原廠目標(biāo)仍為改善獲利,漲價(jià)意圖強(qiáng)烈,促使DRAM合約價(jià)季漲幅近兩成,然出貨位元?jiǎng)t面臨傳統(tǒng)淡季而略為衰退。

上季營(yíng)收方面,三大原廠的成長(zhǎng)幅度以三星(Samsung)最高,營(yíng)收達(dá)79.5億美元,季增幅逾五成,主要受惠1alpha nm DDR5出貨拉升,使得Server DRAM的出貨位元季增超過(guò)60%。SK海力士(SK hynix),雖出貨位元季增僅1~3%,然持續(xù)受惠于HBM、DDR5的價(jià)格優(yōu)勢(shì),以來(lái)自于高容量Server DRAM模組的獲利,平均銷(xiāo)售單價(jià)季增17~19%,去年第四季營(yíng)收達(dá)55.6億美元,季增20.2%。美光(Micron)量?jī)r(jià)齊揚(yáng),出貨位元及平均銷(xiāo)售單價(jià)均季增4~6%,DDR5與HBM比重相對(duì)低,故營(yíng)收成長(zhǎng)幅度較為和緩,去年第四季營(yíng)收達(dá)33.5億美元,季增8.9%。

產(chǎn)能規(guī)劃方面,三星去年第四季大幅減產(chǎn)后,在庫(kù)存壓力改善后,今年第一季投片開(kāi)始回升,稼動(dòng)率約為80%。下半年旺季,需求預(yù)期將較上半年明顯增溫,產(chǎn)能會(huì)持續(xù)拉高至第四季。SK海力士則積極擴(kuò)張HBM產(chǎn)能,投片量緩步增加,隨著HBM3e量產(chǎn)后,相關(guān)先進(jìn)制程投片亦持續(xù)上升。美光投片量有回溫趨勢(shì),后續(xù)將積極增加其先進(jìn)制程1beta nm比重,用于生產(chǎn)HBM、DDR5與LPDDR5(X)產(chǎn)品,因先進(jìn)制程的設(shè)備增加,屆時(shí)產(chǎn)能將較為收斂。

臺(tái)廠方面,南亞科量?jī)r(jià)齊揚(yáng),其中Consumer DRAM終端銷(xiāo)售動(dòng)能回升較緩,主要來(lái)自?xún)r(jià)格回升所帶動(dòng)的備貨動(dòng)能,去年第四季營(yíng)收季增12.1%,達(dá)2.74億美元。華邦電(2344)因KH廠新增產(chǎn)能開(kāi)出,銷(xiāo)售目標(biāo)以去化庫(kù)存、擴(kuò)大客戶(hù)群為主,并未調(diào)漲合約價(jià)格,出貨表現(xiàn)積極,帶動(dòng)去年第四季營(yíng)收季增19.5 %,約1.33億美元。力積電(6770)受惠于現(xiàn)貨、合約價(jià)格陸續(xù)上漲,客戶(hù)端備貨力道提升,加上出貨基期低,去年第四季DRAM營(yíng)收成長(zhǎng)高達(dá)110%,達(dá)3,900萬(wàn)美元,若加計(jì)代工,合計(jì)營(yíng)收則季增11.6%。




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