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解決方案

東芝TCK42xG系列新型MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC，助力移動(dòng)電子設(shè)備小型化

關(guān)鍵字：可穿戴設(shè)備東芝MOSFET 發(fā)布時(shí)間：2022-06-07

TCK42xG系列支持外部背對背MOSFET

穎特新科技訊：東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動(dòng)電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能，能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。

新產(chǎn)品具體包括：用于24V電源線的“TCK420G”；用于12V電源線的“TCK422G”和“TCK423G”；用于9V電源線的“TCK424G”；以及用于5V電源線的“TCK425G”。與已經(jīng)推出的用于20V電源線的“TCK421G”共同構(gòu)成完整的產(chǎn)品線。

在新推出這五款產(chǎn)品后，TCK42xG系列現(xiàn)在允許用戶從10V和5.6V這兩種類型的柵源電壓中進(jìn)行選擇，這覆蓋了更多規(guī)格的MOSFET。憑借輸入過電壓鎖定功能的多種檢測電壓，該產(chǎn)品能用于5V至24V的電源線路。如果與外部背對背MOSFET結(jié)合使用，它們也適用于配置具有反向電流阻斷功能的負(fù)載開關(guān)電路（圖1）或電源多路復(fù)用器電路（圖2）。除此之外，其內(nèi)置的電荷泵電路支持從2.7V至28V的寬輸入電壓范圍，因此經(jīng)過間歇操作，可在外部背對背MOSFET的柵極和源極之間提供穩(wěn)定的電壓---這種方式允許大電流的切換。

TCK42xG采用WCSP6G^[1]封裝，是業(yè)內(nèi)最小的^[2]封裝類型之一，助力可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)等小型設(shè)備實(shí)現(xiàn)高密度貼裝，從而縮小它們的尺寸。

此外，東芝還開發(fā)出電源多路復(fù)用器電路參考設(shè)計(jì)，這是一種利用TCK42xG的功能的電源多路復(fù)用器參考設(shè)計(jì)示例。該設(shè)計(jì)示例于今日在東芝網(wǎng)站上發(fā)布。

圖1：負(fù)載開關(guān)電路（單高邊、背對背）

圖2：電源多路復(fù)用器電路

圖3：電源多路復(fù)用器電路板

應(yīng)用：

-可穿戴設(shè)備

-智能手機(jī)

-筆記本電腦、平板電腦

-存儲(chǔ)設(shè)備等

特性：

-內(nèi)置電荷泵電路，柵極-源極電壓設(shè)置（5.6V、10V）取決于輸入電壓

-過電壓鎖定支持5V至24V

-低輸入關(guān)斷電流：IQ(OFF)＝0.5μA（最大值）@VIN＝5V

主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號		TCK420G		TCK421G^[3]		TCK422G	TCK423G		TCK424G	TCK425G
封裝
名稱		WCSP6G
尺寸（mm）		1.2×0.8（典型值），厚度＝0.35（最大值）
工作范圍
輸入工作電壓 VIN_opr（V）	@Ta＝-40至85℃	2.7-28
電氣特性
VIN UVLO閾值，VOUT下降 VIN_UVLO 典型值／最大值（V）	@Ta＝-40至85℃	2.0／2.5
VIN OVLO閾值， VOUT下降 VIN_OVLO 最小值／最大值（V）	@Ta＝-40至85℃	26.50 ／28.50	22.34 ／24.05		13.61 ／14.91			10.35 ／11.47			5.76 ／6.87
待機(jī)電流（斷態(tài)） IQ(OFF)最大值（μA）	@VIN＝5V， Ta＝-40至85℃	0.5
柵極驅(qū)動(dòng)電壓（VGATE1－VIN）（VGATE2－VOUT） VGS典型值（V）	@VIN＝12V／20V	10／10		10／10		10／-	5.6／-		-／-	-／-
柵極驅(qū)動(dòng)電壓（VGATE1－VIN）（VGATE2－VOUT） VGS典型值（V）	@VIN＝5V／9V	10／10		10／10		10／10	5.6／5.6		5.6／5.6	5.6／-
VGS導(dǎo)通時(shí)間 tON典型值（ms）	@VIN＝5V， CGATE1,2＝4000pF	2.9
VGS關(guān)斷時(shí)間 tOFF典型值（μs）	@VIN＝5V， CGATE1,2＝4000pF	52					23
OVLO VGS關(guān)斷時(shí)間 tOVP典型值（μs）	@CGATE1,2＝4000pF	31		34		41	16		18	19
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注：

[1] 1.2mm×0.8mm芯片級封裝

[2] 在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中，截至2022年6月的東芝調(diào)研。

[3] 已經(jīng)發(fā)布的產(chǎn)品

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TCK420G