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開關(guān)噪聲 EMC —— 使用電容器降低噪聲

關(guān)鍵字:EMC 村田電容器 噪聲對策 作者: 來源: 發(fā)布時間:2019-05-13  瀏覽:10

使用村田電容器降低噪聲

現(xiàn)在的電路設(shè)計中對EMC要求越來越高,我們需要了解如何更好的降低噪聲,本文主要講解如何使用電容器降低噪聲。在眾多品牌的電容中,相對而言穎特新科技代理的村田電容性能穩(wěn)定,電容器降低噪聲效果更好。

1.使用電容器的噪聲對策

1)使用電容器降低噪聲

噪聲分很多種,性質(zhì)也是多種多樣的。所以,噪聲對策(即降低噪聲的方法)也多種多樣。在這里主要談開關(guān)電源相關(guān)的噪聲,因此,請理解為DC電壓中電壓電平較低、頻率較高的噪聲。另外,除電容外,還有齊納二極管和噪聲/浪涌/ESD抑制器等降噪部件。不同的噪聲性質(zhì),所需要的降噪部件也各不相同。如果是DC/DC轉(zhuǎn)換器,多數(shù)會根據(jù)其電路和電壓電平,用LCR來降低噪聲。

2)使用電容器降低噪聲的示意圖

下面是通過添加電容器來降低DC/DC轉(zhuǎn)換器輸出電壓噪聲的示例。

使用村田電容器降低噪聲的示意圖使用村田電容器降低噪聲的示意圖

左側(cè)的波形是輸出端LC濾波器的電容為22μF時,在約200MHz的頻率范圍存在180mVp-p左右的噪聲(振鈴、反射)。右側(cè)波形是為了降低這種噪聲而添加了2200pF電容后的結(jié)果。從波形圖可以看出,添加2200pF的電容使噪聲降低了100mV左右。

這里應(yīng)該思考的是“為什么是2200pF”。右下圖為所添加電容器的阻抗頻率特性。

之所以選擇2200pF的電容,是因為阻抗在160MHz附近最低,利用這種阻抗特性,可降低噪聲幅度約2MHz。

這是通過添加電容器來降低目標噪聲頻率的阻抗,從而降低噪聲幅度的手法。

像這樣通過添加電容器來降低噪聲時,需要把握噪聲(振鈴、反射)的頻率,并選擇具有相應(yīng)阻抗的頻率特性的電容器。

阻抗特性

以上簡單介紹了利用電容器來降低噪聲的對策。接下來將介紹去耦電容的有效使用方法。

關(guān)鍵要點
▪ 通過降低目標噪聲頻率的阻抗來降低噪聲幅度。
▪ 降噪用電容器的選型需要根據(jù)阻抗的頻率特性進行(而非容值)。

2. 電容的頻率特性

前面介紹了開關(guān)電源輸入用共模濾波器中包括電容器、電感、鐵氧體磁珠和電阻等部件。接下來將對其中使用電容和電感降噪的對策進行介紹,這也可以稱為“噪聲對策的基礎(chǔ)”。在這里使用簡單的四元件模型。如果要進一步表達高頻諧振時,可能需要更多的元件模型。

1)電容的頻率特性

探討利用電容器來降低噪聲時,充分了解電容器的特性是非常重要的。右下圖為電容器的阻抗和頻率之間的關(guān)系示意圖,是電容器最基礎(chǔ)的特性之一。

電容器中不僅存在電容量C,還存在電阻分量ESR(等效串聯(lián)電阻)、電感分量ESL(等效串聯(lián)電感)、與電容并聯(lián)存在的EPR(等效并聯(lián)電阻)。EPR與電極間的絕緣電阻IR或電極間有漏電流的具有相同的意義?赡芤话愣嗍褂谩癐R”。

電容的頻率特性

C和ESL形成串聯(lián)諧振電路,電容器的阻抗原則上呈上圖所示的V字型頻率特性。到諧振頻率之前呈容性特性,阻抗下降。諧振頻率的阻抗取決于ESR。過了諧振頻率之后,阻抗特性變?yōu)楦行,阻抗隨著頻率升高而升高。感性阻抗特性取決于ESL。

諧振頻率可通過以下公式計算。

諧振頻率

從該公式可以看出,容值越小、ESL越低的電容器,諧振頻率越高。如果將其應(yīng)用于噪聲消除,則容值越小、ESL越低的電容器,頻率越高,阻抗越低,因此可以很好地消除高頻噪聲。

雖然這里說明的順序有些前后顛倒,不過使用電容器降低噪聲的對策,是利用了電容器“交流通過時頻率越高越容易通過”這個基本特性,將不需要的噪聲(交流分量)經(jīng)由信號、電源線旁路到GND等。

下圖為不同容值的電容器的阻抗頻率特性。在容性區(qū)域,容值越大,阻抗越低。另外,容值越小,諧振頻率越高,在感性區(qū)域阻抗越低

不同容值的電容器的阻抗頻率特性

下面總結(jié)一下電容器阻抗的頻率特性。

• 容值和ESL越小,諧振頻率越高,高頻區(qū)域的阻抗越低。

•容值越大,容性區(qū)域的阻抗越低。

•ESR越小,諧振頻率的阻抗越低。

•ESL越小,感性區(qū)域的阻抗越低。

簡單來說,阻抗低的電容器具有出色的噪聲消除能力,不同的電容器其阻抗的頻率特性也不同,所以這一特性是非常重要的確認要點。選擇降噪用電容器時,請根據(jù)阻抗的頻率特性來選型(而非容值)。

選擇降噪用電容器時,確認頻率特性需要意識到連接的是LC的串聯(lián)諧振電路(而非電容)。

關(guān)鍵要點
▪ 降噪用電容器的選型需要根據(jù)阻抗的頻率特性進行(而非容值)。
▪ 容值和ESL越小,諧振頻率越高,高頻區(qū)域的阻抗越低。
▪ 容值越大,容性區(qū)域的阻抗越低。
▪ ESR越小,諧振頻率的阻抗越低。
▪ ESL越小,感性區(qū)域的阻抗越低。

文章轉(zhuǎn)載自:https://zhuanlan.zhihu.com/p/61020210

編輯:amy  最后修改時間:2019-05-13

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