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基于NAND的MCP - Micron(美光半導體)產(chǎn)品

關鍵字:鎂光半導體 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-07-13  瀏覽:10
相變存儲器用于移動設備的解決方案

相變存儲器(PCM) 是一項突破性的類的內(nèi)存 ,為您的設計提供了無與倫比的性能和效率相結合。

一個高品質(zhì)的用戶體驗是手機脫穎而出的關鍵因素。 我們的45納米基于PCM的多芯片封裝(MCP)實現(xiàn)更快的啟動時間,更長的電池壽命和更好的可靠性功能,將您的設計除了。

基于PCM-MCP的提高最終用戶的性能的同時,也可以簡化您的存儲子系統(tǒng)的設計,降低系統(tǒng)級成本。 這些的MCP結合PCM和第二代低功耗雙數(shù)據(jù)率存儲器同步動態(tài)隨機存取共享LPDDR2接口在單一封裝中,它們簡化了軟件開發(fā)的可擴展性,LTE調(diào)制解調(diào)器。

“我贊揚美光能夠把硅和顯示卷生產(chǎn)的PCM。 這打擊反對者距離 - 我是一個 - 表明,該技術可以工作。 還開車回家的教訓,你必須付出你的會費方面的能力來解決各種問題,如熱干擾 - 實現(xiàn)了良好的生產(chǎn)準備,創(chuàng)新的設計開發(fā)和生產(chǎn)的時間 - !

- 艾倫Niebel,CEO的Web-Feet研究

基于PCM-MCP的批量出貨諾基亞他們阿莎智能手機,和我們積極參與在驗證過程中與其他幾個主要客戶和推動者。

總結 全部零件目錄(3)
PCM密度 寬度 LPDDR2密度 電壓 包
1Gb的

2產(chǎn)品 X16 512Mb的 1.8V WFBGA
512Mb的

1產(chǎn)品 X16 512Mb的 1.8V WFBGA
優(yōu)點 文檔和支持 常見問題 博客
隨機讀取性能最高可達400 MB / s的
位變性沒有擦除
沒有主機ECC代碼執(zhí)行
耐力> 10萬次寫周期
通過浮動門技術的改進的數(shù)據(jù)保留 - 寫周期不會降低數(shù)據(jù)
低功耗
設計優(yōu)化:

JEDEC標準規(guī)范,
英特爾移動平臺的驗證 TI OMAP PandaBoard,而Android OS
在一個單一的多芯片封裝上封裝(PoP)與一個共享的LPDDR2接口搭配LPDDR2
更小的PCB低引腳數(shù)封裝
物料清單簡化
沒有規(guī)范的變化延伸的設計壽命和降低成本

釋放你的突破性設計

我們的革命PCM結合了NOR,NAND和RAM的最佳特性,在一個單一的,非易失性存儲器芯片,提供了前所未有的功能。

所有的介紹均由村田代理商穎特新科技提供

編輯:admin  最后修改時間:2019-08-16

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