PSRAM與SRAM、DRAM的比較與優(yōu)勢
PSRAM是一種偽靜態(tài)SRAM存儲器，它具有類似SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，接口簡單；
PSRAM的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)：1T1C一個晶體管一個電容構(gòu)成存儲cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個晶體管構(gòu)成一個存儲cell。由此結(jié)合，他可以實現(xiàn)類SRAM的接口有可實現(xiàn)較大的存儲容量。（我們都知道大容量SRAM非常貴）
PSRAM與DRAM的比較與優(yōu)勢：
相對于DRAM來說，PSRAM在容量大小上并不占據(jù)優(yōu)勢，更多使用DRAM的客戶，會在讀取速度上考慮用到PSRAM,因為PSRAM相對于DRAM的讀取速度要快。
PSRAM與SRAM的比較與優(yōu)勢：
對比SRAM，pSRAM市面上的產(chǎn)品比SRAM的容量大一倍以上，PSRAM目前最大容量達(dá)到64Mbit，并有并口跟SPI接口兩種模式，對需要更少I/0的設(shè)計應(yīng)用更為廣泛，其次，pSRAM在價格上要低于SRAM。
總結(jié)
如果在設(shè)計應(yīng)用中考慮讀取速度要比DRAM快的，但是又不需要達(dá)到SRAM的讀取速度要求，一般SRAM的讀取速度最快可以到8ns,可以選用PSRAM這款產(chǎn)品。
編輯：admin 最后修改時間：2019-07-07
