【DDR3/EMMC】兩者的區(qū)別和UFS/eMMC/LPDDR】三者的關(guān)系
DDR3內(nèi)存條和eMMC存儲器區(qū)別： 1. 存儲性質(zhì)不同；2. 存儲容量不同 ；3. 運行速度不同；4. 用途不同。
具體區(qū)別如下：
1、存儲性質(zhì)不同：eMMC是非易失性存儲器，不論在通電或斷電狀態(tài)下，數(shù)據(jù)都是可以存儲的，而DDR3內(nèi)存是易失性存儲器，斷電同時，數(shù)據(jù)即丟失。
2、存儲容量不同：eMMC的存儲容量要比DDR3內(nèi)存大3-4倍，常見有32G，而DDR3內(nèi)存容量相對較小，常見有2-8G。
3、運行速度不同：DDR3內(nèi)存運行速度要比eMMC快得多。
DD4、用途不同：eMMC主要用于數(shù)據(jù)存儲，而DDR3內(nèi)存主要用于數(shù)據(jù)運算。eMMC 主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。用來提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存。在手機或平板電腦中，DDR3內(nèi)存可稱之為運行內(nèi)存，而eMMC可稱之為存儲內(nèi)存。
【UFS/eMMC/LPDDR】三者區(qū)別和聯(lián)系
對于智能手機而言，任何一個部件都有可能影響到手機的整體性能和體驗，處理器、內(nèi)存、閃存、屏幕等等。不過對于以下剛?cè)腴T的新手用戶而言，當(dāng)和其他網(wǎng)友們熱烈討論UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4這些名詞時，或許會一頭霧水：這些究竟是什么？
想要了解UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4這些詞的意義和區(qū)別，首先需要了解的是手機內(nèi)存和閃存這兩個容易混淆的概念。
內(nèi)存
手機內(nèi)存（RAM，隨機存取存儲器）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。說人話，就是我們常說的手機運行內(nèi)存。
在PC平臺，內(nèi)存經(jīng)歷了SIMM內(nèi)存、EDO DRAM內(nèi)存、SDRAM內(nèi)存、Rambus DRAM內(nèi)存、DDR內(nèi)存的發(fā)展，到如今普及到DDR4內(nèi)存，而手機上采用的LPDDR RAM是“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫，與桌面平臺的DDR4內(nèi)存相比，面向移動平臺的LPDDR4，其能夠在帶來等效的性能(速度)的同時，兼顧更少的能源消耗。
閃存
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，即使斷電也不會丟失數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（NOR Flash為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。通俗地說，它就相當(dāng)于電腦中的硬盤，運行內(nèi)存在斷電后不會保留存儲的數(shù)據(jù)，而要長期保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失還是需要將數(shù)據(jù)從內(nèi)存寫入到硬盤當(dāng)中。對于電腦這樣的桌面設(shè)備，我們可以塞進去一塊硬盤，而對于手機這樣的移動設(shè)備，顯然就不現(xiàn)實了。
于是，1984年，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。特點是非易失性，其記錄速度也非？欤瑫r體積小，因此后來被廣泛運用于數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3、手機等小型數(shù)碼產(chǎn)品中。Intel是世界上第一個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司，當(dāng)時為NOR閃存，后來日立公司于1989年研制了NAND閃存，逐漸替代了NOR閃存。值得一提的是，如今廣泛用于PC上的SSD和手機的ROM，本質(zhì)上是一家人，都是NAND閃存。
UFS和eMMC
通過上面的簡單介紹，大家已經(jīng)能夠理解內(nèi)存和閃存的區(qū)別。那么我們不妨先來看看閃存規(guī)格eMMC和UFS。其中，eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲卡。是由MMC協(xié)會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。簡單說，就是在原有內(nèi)置存儲器的基礎(chǔ)上，加了一個控制芯片，再以統(tǒng)一的方式封裝，并預(yù)留一個標(biāo)準(zhǔn)接口，以便手機客戶拿來直接使用。2015年前所有主流的智能手機和平板電腦都采用這種存儲介質(zhì)。
2011年電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會（Joint Electron Device En gineering Council，簡稱JEDEC）發(fā)布了第一代通用閃存存儲（Universal Flash Storage，簡稱UFS）標(biāo)準(zhǔn)，即UFS 2.0的前身。不過第一代的UFS并不受歡迎，也沒有對eMMC標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生明顯的影響。
到了2013年，JEDEC在當(dāng)年9月發(fā)布了UFS 2.0的新一代閃存存儲標(biāo)準(zhǔn)，UFS 2.0閃存讀寫速度理論上可以達到1400MB/s，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見絀。于是后來逐漸在高端設(shè)備市場上取代eMMC，成為移動設(shè)備的主流標(biāo)配。而實際上，UFS 2.0共有兩個版本，其中一個是HS-G2，也就是目前的UFS 2.0。然而，另個一個版本則為HS-G3，可以稱為UFS 2.1，其數(shù)據(jù)讀取速度將飆至1.5G/s，也就是UFS 2.0的兩倍。
那么UFS和eMMC有什么區(qū)別呢？區(qū)別在于，UFS 2.0的閃存規(guī)格則采用了新的標(biāo)準(zhǔn)，它使用的是串行接口，很像PATA、SATA的轉(zhuǎn)換。并且它支持全雙工運行，可同時讀寫操作，還支持指令隊列。相比之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行，指令也是打包的，在速度上就已經(jīng)是略遜一籌了。而且UFS芯片不僅傳輸速度快，功耗也要比eMMC 5.0低一半，可以說是當(dāng)下以及日后旗艦手機閃存的理想搭配。
DDR和LPDDR
DDR=Dual Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
▲DDR結(jié)構(gòu)框架圖
而LPDDR是什么呢？它的全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一種，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRAM）,是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。
DDR內(nèi)存經(jīng)歷了從DDR到DDR2、DDR3以及DDR4時代，而DDR5的時代目前還沒有到來。從DDR、DDR2發(fā)展到DDR3，頻率更高、電壓更低的同時延遲也在不斷變大，慢慢改變著內(nèi)存子系統(tǒng)，而DDR4最重要的使命是提高頻率和帶寬，每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，擁有高達4266MHz的頻率，內(nèi)存容量最大可達到128GB，運行電壓正常可降低到1.2V、1.1V。
LPDDR的運行電壓（工作電壓）相比DDR的標(biāo)準(zhǔn)電壓要低，從第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使內(nèi)部讀取大小和外部傳輸速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的帶寬，輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達3200Mbps，電壓降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X，與LPDDR4相同，只是通過將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來節(jié)省額外的功耗，也就是更省電。
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編輯：Simon 最后修改時間：2019-05-20
