Winbond存儲芯片介紹
W25Q80(SPI)
產(chǎn)品特性：
W25Q80是臺灣華邦電子（Winbond）生產(chǎn)的8M-bit串列flash晶片。主要特性有：工作電壓：2.5 ~ 3.6 V
功耗：讀寫（active）時4mA，低功耗（power-down）時<1μA
容量：8M-bit/1M-byte，包含4096個頁（每頁大小256位元組）
介面：Standard/Dual/Quad SPI，支援時鐘頻率最高104MHz
支援以4/32/64k-bytes為單位進(jìn)行Sector/Block擦除
一次寫入最多256位元組
軟體/硬體防寫功能
大于10萬次擦除/編程壽命
大于20年的資料保存時間
尺寸：14mm × 15mm
AT24C04 (I2C)
AT24C01A(1) AT24C02(2) AT24C04 AT24C08A AT24C16A(3)
| 型號： | AT24C04 | |
| 名稱/功能： | 2-Wire Serial CMOS E2PROM | |
| 生產(chǎn)商： | Atme |
特征
•低壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓操作- 2.7（VCC = 2.7V至5.5V）
- 1.8（VCC = 1.8V至5.5V）
•內(nèi)部組織128 x 8（1K），256 x 8（2K），512 x 8（4K），
1024 x 8（8K）或2048 x 8（16K）
•雙線串行接口
•施密特觸發(fā)器，用于噪聲抑制的濾波輸入
•雙向數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議
•100 kHz（1.8V）和400 kHz（2.7V，5V）兼容性
•寫保護(hù)引腳以實現(xiàn)硬件數(shù)據(jù)保護(hù)
•8字節(jié)頁面（1K，2K），16字節(jié)頁面（4K，8K，16K）寫入模式
•允許部分頁面寫入
•自定時寫周期（最長5 ms）
• 高可靠性
- 耐力：100萬次寫入周期
- 數(shù)據(jù)保留：100年
•可提供汽車設(shè)備
•8引腳JEDEC PDIP，8引腳JEDEC SOIC，8引腳超薄Mini-MAP（MLP 2x3），5引腳
SOT23,8引腳TSSOP和8引腳dBGA2封裝
•模具銷售：晶圓形，Waffle Pack和Bumped Wafers
描述
AT24C01A / 02/04 / 08A / 16A提供1024/2048/4096/8192/16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為128/256/512/1024/2048字，每字8位。 該器件經(jīng)過優(yōu)化，適用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功耗和低電壓操作至關(guān)重要。 AT24C01A / 02/04 / 08A / 16A采用節(jié)省空間的8引腳DIP，8引腳JEDEC SOIC，8引腳超薄Mini-MAP（MLP 2x3），5引腳SOT23（AT24C01A / AT24C02 / AT24C04） ），8引腳TSSOP和8引腳dBGA2封裝，可通過雙線串行接口訪問。 此外，整個系列還提供2.7V（2.7V至5.5V）和1.8V（1.8V至5.5V）版本。M24C32 (I2C)
M24C32-W M24C32-R M24C32-F M24C32-X M24C32-DF
特征
•兼容所有I2C總線模式：- 1 MHz
- 400 kHz
- 100 kHz
•內(nèi)存陣列：
- 32 Kbit（4 KB）EEPROM
- 頁面大。32字節(jié)
- 附加寫入可鎖定頁面（M24C32-D
訂單代碼）
•單電源電壓：
- -40°C / + 85°C時為1.7 V至5.5 V.
- 在-20°C / + 85°C時為1.6 V至5.5 V.
•寫：
- 字節(jié)在5毫秒內(nèi)寫入
- 5 ms內(nèi)的頁面寫入
•隨機和順序讀取模式
•寫保護(hù)整個存儲器陣列
•增強的ESD /閂鎖保護(hù)功能
•超過400萬個寫周期
•超過200年的數(shù)據(jù)保留
以上，Winbond（華邦）產(chǎn)品特點總結(jié)，如您有疑問想洽談合作，不妨來咨詢華邦flash芯片代理-深圳穎特新科技；穎特新作為Winbond代理商，將竭盡全力為您服務(wù)。QQ：83652985
編輯：Simon 最后修改時間：2019-05-28
