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IGBT的吸收電容過(guò)熱有哪些原因

關(guān)鍵字:IGBT 作者:admin 來(lái)源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2017-09-05  瀏覽:44

IGBT的吸收電容過(guò)熱原因有幾方面構(gòu)成呢?接下來(lái)穎特新科技為大家揭曉。

1、此電容是吸收過(guò)沖能量的一個(gè)電容,要求是低損耗、高頻性能好,而且要允許通過(guò)大的脈動(dòng)電流;

2、此電容選料要用聚碳酸樹(shù)脂或者CBB料;

3、制作工藝一定要用無(wú)感辦法,不能用卷繞制造方法;

4、噴金工藝不好也是發(fā)熱的一個(gè)因素;

5、引出線(xiàn)應(yīng)該用紫銅線(xiàn),而不能用鐵線(xiàn)或PC線(xiàn),線(xiàn)徑要1mm以上。

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2017-09-17

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