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一些常見的功率半導(dǎo)體包括：
1.功率二極管（Power Diode）：用于整流和保護電路。
2. 功率MOSFET（Power MOSFET）：用于開關(guān)和放大電路。
3. 功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管的特點，用于高壓和高電流應(yīng)用。
4. 功率BJT（Bipolar Junction Transistor）：用于高頻和高功率應(yīng)用
半導(dǎo)體新材料到底有多少種?
1、硅（Silicon）：硅是最常用的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于電子器件和集成電路中。
2、碳化硅（Silicon Carbide）：碳化硅具有較高的熱導(dǎo)率和耐高溫性能，被廣泛應(yīng)用于功率電子器件和高溫電子器件中。
3、氮化鎵（Gallium Nitride）：氮化鎵具有較高的電子遷移率和耐高溫性能，被廣泛應(yīng)用于LED、功率電子器件和射頻器件中。
4、磷化鎵（Gallium Phosphide）：磷化鎵具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，被廣泛應(yīng)用于太陽能電池和光電子器件中。
5、砷化鎵（Gallium Arsenide）：砷化鎵具有較高的電子遷移率和光電轉(zhuǎn)換效率，被廣泛應(yīng)用于光電子器件和微波器件中。
6、氮化鋁（Aluminum Nitride）：氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)率和耐高溫性能，被廣泛應(yīng)用于高功率電子器件和高頻電子器件中。
7、氧化鋅（Zinc Oxide）：氧化鋅具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率和透明性，被廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電薄膜和光電子器件中。
這只是一小部分半導(dǎo)體新材料的例子，實際上還有很多其他種類的半導(dǎo)體新材料，不斷有新的材料被發(fā)現(xiàn)和研究。
第三代半導(dǎo)體材料，特別是碳化硅，已成為全球半導(dǎo)體技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)競爭的焦點，吸引了美國、日本、歐洲等國家的積極關(guān)注和戰(zhàn)略部署。目前，第三代半導(dǎo)體材料和器件已經(jīng)成功實現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)；a(chǎn)的跨越，并進(jìn)入了產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段。
在新能源汽車、高速軌道交通、5G通信、光伏并網(wǎng)、消費類電子等多個重要領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)取得了應(yīng)用突破。自2020年以來，發(fā)達(dá)國家紛紛將半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)提升到國家安全戰(zhàn)略層面，考慮以國家級力量進(jìn)行技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展、原材料供應(yīng)和生產(chǎn)制造等多個方面的全方位部署。
根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，截至2020年底，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為7.03億美元，而GaN射頻器件市場規(guī)模為8.3億美元。同時，GaN射頻器件主要是基于碳化硅（SiC）和硅（Si）等異質(zhì)襯底外延材料制備的。與硅基氮化鎵相比，碳化硅基氮化鎵外延具有明顯的優(yōu)勢。根據(jù)Yole的報告，目前約有90%的GaN射頻器件采用碳化硅襯底制備。據(jù)報道，2021年全球碳化硅器件市場規(guī)模已超過20億美元。
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