Hi-Q Low ESR 積層陶瓷電容器的新要求
近年來，隨著無線通訊市場的快速普及及大量數(shù)位資料的傳輸需求，相關(guān)通訊設(shè)備的傳輸頻率迅速往上提升，從早期900/1,800MHz GSM系統(tǒng)快速發(fā)展至今日3G手機與無線網(wǎng)路通訊( Wi-Fi)，所使用的傳輸頻率都在2GHz以上，甚至將來的60GHz應(yīng)用也有越來越多的討論，如下表所示。
由于高頻訊號傳輸上，對于訊號的品質(zhì)要求相當(dāng)高，具備「低等效串聯(lián)電阻(low ESR;即低耗能)及優(yōu)越的高頻率特性(high Q;即高訊號品質(zhì))」之高頻通訊用積層陶瓷電容器(RF-application MLCC)，成為近期在積層陶瓷電容器技術(shù)發(fā)展上的重要研發(fā)項目。MLCC的等效電路如下圖說明，當(dāng)頻率升高時，實體元件中的ESR與ESL寄生效應(yīng)都一一浮現(xiàn)，造成元件阻抗隨頻率升高而降低，直到自我諧振頻率 (Self-resonant frequency; SRF)后阻抗才又升高，但此時元件特性已經(jīng)從電容性轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼行浴?/p>
也就是說，當(dāng)MLCC的ESR與ESL越低，將會越接近純電容，其自我諧振頻率會往越高頻率移動，更適合在高頻方面應(yīng)用。以下列公式說明訊號通過電容器所耗用的功率與比較圖，可以明顯發(fā)現(xiàn)Hi-Q MLCC在高頻率應(yīng)用的優(yōu)越之處：
Power Dissipation (Pd) on Capacitor = i2 * (XC/Q) or i2 * (ESR)
為了達成降低電容器的等效串聯(lián)電阻的目的，核心技術(shù)在于金屬內(nèi)電極與微波介電陶瓷材料的開發(fā)，以及共燒技術(shù)的實現(xiàn)。以過去10年間，內(nèi)電極材料由貴金屬鈀/銀30/70 的成份，藉由銀的優(yōu)異導(dǎo)電性與比重增加、降低鈀的比重，大幅改善了ESR水準(zhǔn)。近年來一般泛用型的NPO MLCC多采用10/90 或3/97鈀銀成份作為內(nèi)電極材料，但ESR無法再進一步有效降低，除非改用純銅或純銀內(nèi)電極。如下圖所示：
然而，純度接近100%的銀內(nèi)電極導(dǎo)電性雖然極為優(yōu)越，卻會有銀離子遷移(migration)的問題。由于一旦銀遷移的現(xiàn)象產(chǎn)生，將導(dǎo)致產(chǎn)品可靠度與品質(zhì)的問題(例如內(nèi)電極短路、耐電壓能力下降)，于是諸多國際大廠紛紛宣告禁用純銀電極的產(chǎn)品。
純銅的材料特性有著與純銀極為接近的導(dǎo)電性與頻率特性，卻無離子遷移、導(dǎo)致可靠度不佳的問題。但礙于純銅內(nèi)電極制程的困難度遠遠高于純銀內(nèi)電極系統(tǒng)，如下圖所示，包含內(nèi)電極材料、介電陶瓷材料、端電極材料、內(nèi)電極電路設(shè)計與介電陶瓷共燒技術(shù)都必須有所突破，導(dǎo)致市場上可提供純銅內(nèi)電極高頻用的MLCC目前僅有日系廠商獨占一方。
華新科技身為臺灣電子陶瓷被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商，綜觀內(nèi)部核心技術(shù)及市場需求，成功自行研發(fā)出NP0-Cu MLCC低溫?zé)Y(jié)材料系統(tǒng)，由高品質(zhì)因子的微波介電陶瓷與導(dǎo)電性極佳的銅金屬電極組成，并導(dǎo)入新式卑金屬低溫共燒制程(BME-Cu)，與超低等效串聯(lián)電阻之內(nèi)電極設(shè)計，并取得多項材料與技術(shù)專利。如下圖與日系廠商在高頻特性的比較，可發(fā)現(xiàn)華新科技RF系列的NPO-Cu MLCC表現(xiàn)甚至超越日系廠商。
此一系列產(chǎn)品的推出，不僅大幅提升臺灣陶瓷元件的制作技術(shù)水平，更打破日商壟斷的局面，能進一步與日系大廠并駕齊驅(qū)，并可提供臺灣系統(tǒng)廠商相較日系供應(yīng)商更快速的產(chǎn)品交期、經(jīng)濟的購得成本與即時完整的技術(shù)服務(wù)，使得通訊產(chǎn)業(yè)能加快產(chǎn)品問世速度，亦在全球性競賽中持續(xù)保有其競爭力。
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
