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美國加利福尼亞州戈萊塔，中國臺灣新竹 — 2024年4月25日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）今日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于 Transphorm SuperGaN? 平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。
新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款全新器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應OCP補償和自適應綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案，更快地設計出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。
偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示：“去年，我們推出了首款SiP氮化鎵器件，這是偉詮電子發(fā)展歷程中的一個重要里程碑。對于AC-DC電源產(chǎn)品市場，SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進入市場策略（Go-To-Market Strategy）。今天發(fā)布的新產(chǎn)品表明，我們將繼續(xù)為該應用領域提供更多的器件選擇，支持更廣泛的產(chǎn)品功率級。基于 Transphorm SuperGaN平臺并采用整體封裝解決方案，可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設計的高性能電源，這是 Transphorm氮化鎵器件的獨特之處！
終端產(chǎn)品制造商想方設法開發(fā)物料（BOM）成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外，針對許多應用場景，制造商還希望提供具有多個端口和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案，產(chǎn)品外形都要做到更小、更輕。
Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術(shù)平臺的主要優(yōu)勢包括：同類最佳的穩(wěn)固性（+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比硅器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計，利用了上述GaN器件優(yōu)勢以及自身的創(chuàng)新技術(shù)，打造出一款近乎即插即用的解決方案，縮小外形尺寸的同時，加快設計速度。
Transphorm全球銷售及FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時間內(nèi)可設計出產(chǎn)品。偉詮電子此前推出的首款器件驗證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發(fā)布新款器件，表明了我們兩家公司在深化并實踐為客戶提供更多選擇的承諾！
產(chǎn)品規(guī)格
主要特點
目標應用和供貨情況
偉詮電子 SuperGaN SiP系列特別適用在用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、頭戴式耳機、無人機、揚聲器、相機等移動/物聯(lián)網(wǎng)設備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。
器件規(guī)格詳見產(chǎn)品數(shù)據(jù)表：
?WT7162RHUG24A (240 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610
?WT7162RHUG24B (150 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633
?WT7162RHUG24C (480 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634
新推出的兩款器件（WT7162RHUG24B 和 WT7162RHUG24C）現(xiàn)已開始提供測試樣品。請聯(lián)系 Weltrend 銷售團隊：sales@weltrend.com.tw獲取更多信息。
關于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于美國加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。
官網(wǎng)：www.transphormusa.cn，歡迎關注微信公眾號：TransphormGaN氮化鎵
關于偉詮電子
偉詮電子（TWSE：2436）成立于1989年，位于“臺灣硅谷”新竹科學園區(qū)，是領先的無晶圓廠半導體公司，專長于混合信號/數(shù)字集成電路產(chǎn)品的規(guī)劃、設計、測試、應用開發(fā)和分銷，產(chǎn)品用于電源、電機控制、圖像處理等多個應用領域。官網(wǎng)www.weltrend.com
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