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X-FAB領導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

關鍵字:硅光電子 光電子器件 發(fā)布時間:2023-06-15

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構在光電子領域的創(chuàng)新賦能,使其能夠輕松獲得具有磷化銦(InP)和鈮酸鋰(LNO)異質集成能力的低損耗氮化硅(SiN)與絕緣體上硅(SOI)光電子平臺。在此過程中,模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議,旨在推動歐洲半導體和光電子行業(yè)獲得更大自主權,從而加強歐洲大陸在關鍵新興領域的制造能力。

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photonixFAB聯(lián)盟主要由上市企業(yè)、私有企業(yè)以及備受尊敬的研究機構組成---他們都專注于下一代硅光電子產(chǎn)品的開發(fā)與制造。這些備受矚目的合作伙伴包括技術和制造服務領域的LIGENTEC、SMART Photonics、PHIX Photonics Assembly和Luceda Photonics,應用開發(fā)領域的Nokia、NVIDIA、Aryballe、Brolis Sensor Technology和PhotonFirst,以及前沿研究機構CEA-Leti和IMEC。

其目標為構建歐洲光電子器件的價值鏈并打造初步的工業(yè)制造能力,由此為創(chuàng)新產(chǎn)品開發(fā)商開拓一條可擴展的量產(chǎn)路徑。

photonixFAB將涵蓋一套全面的光電子代工與裝配能力,包括:

l  面向基于低損耗SiN和SOI的PIC提供工業(yè)規(guī)模的硅光電子制造服務,以降低門檻并實現(xiàn)快速周轉;

l  在基于SiN和SOI的PIC平臺上,實現(xiàn)基于InP、LNOI及鍺的有源與無源元件異質集成微轉移印刷技術;

l  針對(異質)PIC平臺的發(fā)展,開發(fā)可擴展的封裝和測試解決方案;

l  為光電子平臺提供基于工藝設計套件的設計自動化功能。

作為該項目的一部分,目前正在建造六個演示方案,以驗證所實施的光電子產(chǎn)業(yè)價值鏈,其中包括數(shù)據(jù)通信和光開關、相干光收發(fā)器、用于傳感的紅外光譜儀、針對消費者保健應用的數(shù)字嗅覺傳感器和健康監(jiān)測示范器等應用。

此外,得益于photonixFAB項目的制造能力,大量尖端光電子器件的潛在機遇將得以發(fā)掘,其中包括數(shù)據(jù)通信、電信、生物醫(yī)學傳感器/探測器、量子計算和車用LiDAR。

“我們看到了巨大的潛力,傳統(tǒng)半導體供應商、OEM廠商和創(chuàng)業(yè)公司都在探索支持光電子技術的應用!盭-FAB公司CEO Rudi De Winter表示,“因此,現(xiàn)在正逢各家企業(yè)以歐洲為中心共同建立硅光電子生態(tài)系統(tǒng)的正確時機,這將有助于推動歐洲大陸在這一令人興奮的嶄新市場的競爭實力!

該項目得到關鍵數(shù)字技術聯(lián)合工作組(KDT JU)的支持,資金來自歐盟和各國政府。這筆資金與每個聯(lián)盟成員的直接投入合并總金額為4760萬歐元。這一為期3.5年項目的主要工作將在X-FAB位于法國科爾貝-埃索訥(Corbeil-Essonnes)的代工廠進行,其它活動也將在歐洲眾多合作伙伴的工廠內(nèi)進行。

縮略語:

InP         磷化銦

IR           紅外線

LiDAR           激光雷達

LNO              鈮酸鋰單晶薄膜

PIC         光電子集成電路

SiN        氮化硅

SME              中小企業(yè)

SOI               絕緣體上硅

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關于X-FAB:

X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團,生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費、醫(yī)療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至130nm的模塊化CMOS和SOI工藝,及其特色SiC與微機電系統(tǒng)(MEMS)長壽命工藝,為全球客戶打造最高的質量標準、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路(混合信號IC)、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn),并在全球擁有約4,000名員工

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