日本高清不卡中文字幕-一起草草视频在线观看-亚洲精品一区二区三区色-国产亚洲精品免费视频

你好!歡迎來到深圳市穎特新科技有限公司!
語言
當前位置:首頁 >> 品牌中心 >> ST/意法 >> ST意法半導體 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性

ST意法半導體 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性

關(guān)鍵字:ST 意法半導體 600到650V MDmesh DM9 MOSFET 作者: 來源: 發(fā)布時間:2022-06-20  瀏覽:10
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性

ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時間(trr),以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平,適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項,包括長引線 TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封裝。

 最新的快速恢復(fù)體二極管超結(jié)MOSFET技術(shù)針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化。

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V,降低了反向恢復(fù)效應(yīng),提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態(tài)電阻(RDS(on))和柵電荷(Qg),與同類競爭器件和意法半導體先前的技術(shù)相比,幫助設(shè)計人員獲得了更高的效率水平。

反向恢復(fù)電流

關(guān)鍵特性

行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg)

體二極管反向恢復(fù)時間(trr)性能提高

提高了dv/dt(120V/ns)和di/dt能力(1300A/μs)

優(yōu)化了體二極管恢復(fù)階段和平緩性


如需要了解更多ST意法半導體MCU產(chǎn)品,請聯(lián)系核心代理商,穎特新科技,或者掃碼聯(lián)系我們!

ST代理聯(lián)系方式


 

在之前的介紹中,我們也為大家介紹了最新版ST電機控制參考指南,也是目前我們主推的非常成熟的解決方案!

編輯:zzy  最后修改時間:2022-06-20

聯(lián)系方式

0755-82591179

傳真:0755-82591176

郵箱:vicky@yingtexin.net

地址:深圳市龍華區(qū)民治街道民治大道973萬眾潤豐創(chuàng)業(yè)園A棟2樓A08

Copyright © 2014-2023 穎特新科技有限公司 All Rights Reserved.  粵ICP備14043402號-4

苏尼特左旗| 武强县| 益阳市| 弥勒县| 涞源县| 桐庐县| 娱乐| 宜州市| 株洲县| 元氏县| 黄陵县| 珠海市| 嘉祥县| 马龙县| 宁津县| 阿克| 永福县| 渭南市| 全南县| 庄浪县| 武强县| 铜陵市| 巨野县| 隆安县| 南江县| 习水县| 始兴县| 西宁市| 丹江口市| 镇远县| 江川县| 博兴县| 夏津县| 巴彦县| 房产| 万全县| 拜泉县| 藁城市| 剑阁县| 灌南县| 延川县|