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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET

關(guān)鍵字:意法半導(dǎo)體 全新MDmesh MOSFET 提高功率密度和能效 作者: 來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-22  瀏覽:3

意法

意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。



首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率密度,并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類(lèi)領(lǐng)先水平,STP65N045M9 為 45mΩ,STP60N043DM9 為 43mΩ。由于柵極電荷 (Qg)非常低,在 400V 漏極電壓時(shí)通常為 80nC,兩款器件都具有目前市場(chǎng)上一流的RDS(on)max x Qg品質(zhì)因數(shù) (FoM)。
 
STP65N045M9 的柵極閾壓(VGS(th))典型值為 3.7V,STP60N043DM9 的典型值為 4.0V,與上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比,可極大程度地降低通斷開(kāi)關(guān)損耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)也都非常低,這有助于進(jìn)一步提高能效和開(kāi)關(guān)性能。
 
意法半導(dǎo)體最新的高壓 MDmesh 技術(shù)的另一個(gè)特點(diǎn)是增加了一道鉑擴(kuò)散工藝,確保本征體二極管開(kāi)關(guān)速度快。該二極管恢復(fù)斜率(dv/dt) 峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產(chǎn)品具有非常高的魯棒性,在 400V電壓時(shí)可耐受高達(dá) 120V/ns 的dv/dt斜率。


NEWS


意法半導(dǎo)體的新 MDmesh M9 和 DM9 產(chǎn)品STP65N045M9和STP60N043DM9 均采用 TO-220 功率封裝,現(xiàn)已投產(chǎn),2022 年第二季度末代理商開(kāi)始鋪貨銷(xiāo)售。2022 年底前還將增加標(biāo)準(zhǔn)的貼裝和通孔封裝。更多詳情請(qǐng)聯(lián)系穎特新科技。

編輯:ls  最后修改時(shí)間:2022-06-22

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