意法半導(dǎo)體MasterGaN4器件
意法半導(dǎo)體的MasterGaN4功率封裝集成了兩個具有225mΩRDS（on）的對稱650V GaN功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護，可簡化高達200W的高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的設(shè)計。意法半導(dǎo)體的MasterGaN系列的最新成員，MasterGaN4消除了復(fù)雜的柵極控制和電路布局挑戰(zhàn)，從而簡化了使用寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)計。通過輸入耐壓范圍為3.3V至15V的電壓，可以將封裝直接連接到霍爾效應(yīng)傳感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）來控制MasterGaN4。
利用GaN晶體管出色的開關(guān)性能所帶來的更高工作頻率，以及提高的效率以減少散熱，設(shè)計人員可以選擇小型磁性元件和散熱器來構(gòu)建更緊湊，更輕便的電源，充電器和適配器。MasterGaN4非常適合用于對稱半橋拓?fù)湟约败涢_關(guān)拓?fù)，例如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式。
寬電源電壓范圍為4.75V至9.5V，可方便地連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護進一步簡化了設(shè)計，包括柵極驅(qū)動器互鎖，低側(cè)和高側(cè)欠壓鎖定（UVLO）以及過熱保護。還有一個專用的關(guān)斷引腳。
作為此次發(fā)布的一部分，ST還推出了專用的原型板（EVALMASTERGAN4），該板提供了一套完整的功能，可通過單個或互補的驅(qū)動信號來驅(qū)動MasterGaN4。還提供了一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器。該電路板使用戶可以靈活地應(yīng)用單獨的輸入信號或PWM信號，插入外部自舉二極管，分離邏輯和柵極驅(qū)動器電源軌，以及使用一個低側(cè)并聯(lián)電阻器來實現(xiàn)峰值電流模式拓?fù)洹?br />
MasterGaN4現(xiàn)已開始生產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，爬電距離超過2mm，可在高壓應(yīng)用中安全使用。
編輯：ls 最后修改時間：2022-06-27
