意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來(lái)卓越性能
中國(guó),2019年1月22日 - 意法半導(dǎo)體的MDmesh DM6 600V MOSFET含有一個(gè)快速恢復(fù)體二極管,將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)引入到全橋和半橋拓?fù)洹⒘汶妷洪_(kāi)關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個(gè)穩(wěn)定可靠的二極管來(lái)處理動(dòng)態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的載流子壽命控制技術(shù)減少反向恢復(fù)時(shí)間(trr),最大限度地降低續(xù)流后關(guān)斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復(fù)軟度增強(qiáng)了產(chǎn)品可靠性。此外,極低的柵極電荷(Qg)和導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及針對(duì)輕負(fù)載優(yōu)化的電容曲線,使應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更高的能效,簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì)并降低EMI干擾。
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編輯:admin 最后修改時(shí)間:2019-01-23