X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
中國北京，2024年5月21日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。
XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C至175°C的寬溫度范圍，并提供一系列可選的器件和模塊——包括高增益雙極器件、標(biāo)準(zhǔn)和高電容密度MIM電容器、多閾值（Vt）選項(xiàng)、肖特基二極管和耗盡型器件。
該平臺(tái)搭載高可靠性汽車NVM解決方案，如嵌入式閃存（Eflash）、EEPROM和OTP，專為成本敏感型和穩(wěn)健型汽車、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
除了新推出的40V/60V器件外，該平臺(tái)還加入了5.3V齊納二極管，進(jìn)一步提升其性能。此款全新低漏電流的齊納二極管專為關(guān)鍵應(yīng)用中的柵氧提供有效保護(hù)，如寬帶隙柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用等。此外，其還提供一系列最高電壓高達(dá)24V的新型隔離漏極高壓器件和中閾值電壓選項(xiàng)的1.8V MOS器件。
X-FAB高壓產(chǎn)品線經(jīng)理Tilman Metzger表示：“我們XP018平臺(tái)的此次升級，展現(xiàn)X-FAB致力于加強(qiáng)成熟技術(shù)方面的決心。XP018平臺(tái)已投產(chǎn)超過十年，并且仍然在汽車、工業(yè)和醫(yī)療等我們重點(diǎn)關(guān)注細(xì)分市場領(lǐng)域的新設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。這些極具競爭力的高壓器件及其更新將使我們的客戶能夠打造更具創(chuàng)新性和成本效益的產(chǎn)品。采用全新XP018基礎(chǔ)器件的設(shè)計(jì)人員可以獲得Cadence、Siemens EDA、Synopsys等各主要EDA平臺(tái)全面的PDK支持，確保在各類應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)無縫集成與優(yōu)化！
全新中閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫預(yù)計(jì)將于2024年第三季度發(fā)布。更多關(guān)于XP018平臺(tái)的詳細(xì)信息，請?jiān)L問：https://www.xfab.com/technology/high-voltage
縮略語：
CMOS 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
DMOS 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體
PDK 工藝設(shè)計(jì)套件
RDSon 導(dǎo)通電阻
SOA 安全工作區(qū)
SOI 絕緣體上硅
關(guān)于X-FAB：
X-FAB是領(lǐng)先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團(tuán)，生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)、醫(yī)療和其它應(yīng)用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn)，并在全球擁有約4,500名員工。
編輯：zqy 最后修改時(shí)間：2024-05-23
