SRAM、DRAM、SDRAM等存儲器的區(qū)別？
特點簡介：
SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價格昂貴，容量不大。DRAM： 動態(tài)RAM，需要刷新，容量大。
SDRAM ：同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。
DDR SDRAM： 雙通道同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。
具體解釋一：
什么是DRAM
DRAM 的英文全稱是’Dynamic RAM’，翻譯成中文就是’動態(tài)隨機存儲器’。DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說內(nèi)存有多大，主要是指DRAM的容量。什么是SRAM
SRAM 的英文全稱是’Static RAM’，翻譯成中文就是’靜態(tài)隨機存儲器’。SRAM主要用于制造Cache。
什么是SDRAM
SDRAM 的英文全稱是’Synchronous DRAM’，翻譯成中文就是’擴充數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存’，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已經(jīng)逐漸成為PC機的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存配置。
什么是Cache
Cache 的英文原意是’儲藏’，它一般使用SRAM制造，它與CPU之間交換數(shù)據(jù)的速度高于DRAM，所以被稱作’高速緩沖存儲器’，簡稱為’高速緩存’。由于CPU的信息處理速度常常超過其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來作為信息存儲器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費。Cache就是為了解決這個問題而誕生的。在操作系統(tǒng)啟動以后，CPU就把DRAM中經(jīng)常被調(diào)用的一些系統(tǒng)信息暫時儲存在Cache里面，以后當(dāng)CPU需要調(diào)用這些信息時，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接從Cache里讀取，這樣利用Cache的高速性能就可以節(jié)省很多時間。大多數(shù)CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱作’一級緩存’或’內(nèi)置Cache’。這部分存儲器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。大多數(shù)主板上也集成了Cache，一般被稱作’二級緩存’或’外置Cache’，比內(nèi)置Cache容量大些，一般可達(dá)到256K，現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內(nèi)部，已經(jīng)集成了一級緩存和二級緩存，那時主板上的Cache就只能叫作’三級緩存’了。什么是閃存
閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是’閃動的存儲器’，通常把它稱作’快閃存儲器’，簡稱’閃存’。這種存儲器可以直接通過調(diào)節(jié)主板上的電壓來對BIOS進行升級操作。解釋為什么dram要刷新，sram不需要：
這個是由于ram的設(shè)計類型決定的，dram用了一個t和一個rc電路，導(dǎo)致電容會漏電和緩慢放電。所以需要經(jīng)常的刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)
具體解釋二：
DRAM，動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。 而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。
SRAM，靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。
SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。
DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點與動態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)！半S機訪問”是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當(dāng)中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。
SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。
DRAM：動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。
SRAM：靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。
主要是存儲單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。
一個是靜態(tài)的，一個是動態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，而動態(tài)的是用電子，要不時的刷新來保持。
內(nèi)存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM，和動態(tài)隨機存儲器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保
持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級緩存以及內(nèi)置的二級緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。
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編輯：Simon 最后修改時間：2019-05-25
