flash閃存NOR和NAND的區(qū)別
FLASH閃存目前有兩種類型分別是NOR和NAND，1988年inter首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)，F(xiàn)在就來講講二者的主要區(qū)別吧。
一.存儲(chǔ)區(qū)別
NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行，這樣應(yīng)用程序可以接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。
NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。
二.性能比較
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
三.接口差別
NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。
NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
四.容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
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編輯：simon 最后修改時(shí)間：2019-08-30
