美光三代10nm制程發(fā)力：16Gb DDR4與LPDDR4X內(nèi)存顆粒開始量產(chǎn)
美光半導體周四宣布，該公司一開始量產(chǎn)基于第三代 10nm 制程（又稱 1z nm）制程的存儲芯片，首批到來的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。隨著時間的推移，該公司還將進一步擴大其產(chǎn)品組合。與第二代 10nm 工藝相比， 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 芯片密度，在增強性能的同時、降低產(chǎn)品的功耗。
值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，較同頻的兩個 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。
至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光稱其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的比特密度更高，該公司可產(chǎn)出性價比更高的存儲芯片。
鑒于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔，我們只能預計其符合 JEDEC 的官方指定范圍內(nèi)。
預計首批 16 Gb DDR4 DRAM 產(chǎn)品將用于臺式機、筆記本、工作站上的高容量（32GB 或更高）內(nèi)存模組。
移動存儲器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達 4266 MT/s 。
除了為高端智能機提供高達 16 GB（8x16Gb）的 LPDDR4X DRAM 封裝，美光還將提供基于 UFS 的多芯片封裝（uMCP4），將 NAND 用于存儲和 DRAM 。
該公司針對主流手機的 uMCP4 系列產(chǎn)品，將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產(chǎn)品。
最后，美光沒有透露其生產(chǎn) 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠。不出意外的話，應(yīng)該會在日本廣島工廠內(nèi)生產(chǎn)。
與此同時，分析師猜測該公司會在臺中附近的 Micron Memory Taiwan（前 Rexchip Semiconductor）晶圓廠啟用 1Z nm 制程生產(chǎn)線。
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編輯：admin 最后修改時間：2019-08-30
