uPI用于GaN上應(yīng)用的超高速 80V-HB驅(qū)動(dòng)器
功率密度的新水平
35年前取代雙極晶體管以來(lái)，硅MOSFET已廣泛應(yīng)用于大多數(shù)電力應(yīng)用中。在這10年中，氮化鎵（GaN）已經(jīng)是一種成熟的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于LED照明和無(wú)線(xiàn)應(yīng)用，F(xiàn)在，隨著GaN FET的特性和工藝的進(jìn)步（更低的Rdson和Qg），功率轉(zhuǎn)換器將具有更高的效率、更快的開(kāi)關(guān)頻率和更小的尺寸。GaN必將把當(dāng)前的電源解決方案帶入下一個(gè)層次。
uPI GaN驅(qū)動(dòng)器系列
uPI超高速80V HB驅(qū)動(dòng)器-uP1966設(shè)計(jì)用于有效地驅(qū)動(dòng)半橋和全橋配置中的高側(cè)和低側(cè)GaN FET。它集成了死區(qū)時(shí)間控制電路、內(nèi)部助推電源和更快的傳播延遲。與分立實(shí)現(xiàn)相比，它使用簡(jiǎn)單，它為您的電源解決方案帶來(lái)了更高的功率密度和效率，同時(shí)減少了組件數(shù)量。uP1966有Couple版本，支持不同的輸入源、可調(diào)死區(qū)控制和超高頻應(yīng)用。所有版本均采用12引腳WLCSP封裝，封裝電感最小。
特征：
輸入電壓敢達(dá)80V
獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)TTL邏輯輸入
0.4Ω/0.7Ω下拉/下拉低電阻
內(nèi)部增壓器電源電壓
獨(dú)立死區(qū)時(shí)間控制
15ns快速傳播延遲
WLCSP 1.6 X 1.6 mm2-12B
特征：
6V至12V單電源范圍
0.4Ω/0.7Ω下拉/下拉低電阻
6A/2A峰值吸收和源極驅(qū)動(dòng)電流
集成LDO
可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電壓
5ns，快速上升和下降時(shí)間
13.5ns快速傳播延遲
WDFN 3 X 3 mm2-10針
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編輯：ZQY 最后修改時(shí)間：2022-10-27
