EPC和uPI Semiconductor將使用uP1966提供GaN解決方案
EPC和uPI Semiconductor合作向市場提供uP1966 GaN半橋驅(qū)動器。
uP1966E是一個85 V雙通道柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動半橋和全橋拓撲中的高側(cè)和低側(cè)eGaN®FETS。該驅(qū)動器集成了內(nèi)部自舉電源和UVLO，尺寸為1.6 mm x 1.6 mm WLCSP。
uP1966E可與EPC eGaN FET一起用于橋式拓撲，包括DC-DC降壓和升壓轉(zhuǎn)換器、LLC DC-DC轉(zhuǎn)換器、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器或用于電池充電的雙向轉(zhuǎn)換器。
uP1966E額定電壓為85 V，適合與EPC 80 V和100 V FET以及集成半橋配對。
uP1966E驅(qū)動程序在包括DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的許多EPC評估板上均有體現(xiàn)；EPC9143、EPC9153、DC-DC LLC轉(zhuǎn)換器EPC9149以及大多數(shù)通用的80V和100V半橋評估板，其中EPC9097和EPC90123是最受歡迎的。
將u1966E與EPC GaN晶體管配對提供了一個非常經(jīng)濟高效的驅(qū)動器，降低了總解決方案成本，并加快了基于GaN的設計的上市時間。
關于EPC EPC是基于增強型氮化鎵（eGaN®）的電源管理領域的領導者。eGaN FET和集成電路在DC-DC轉(zhuǎn)換器、遙感技術（激光雷達）、移動電機驅(qū)動器、機器人和無人機以及低成本衛(wèi)星等應用中提供的性能比最佳硅功率MOSFET高很多倍。
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編輯：zqy 最后修改時間：2022-12-21
