W25Q64簡(jiǎn)介（譯）
W25Q64是華邦公司推出的大容量SPI FLASH產(chǎn)品，其容量為64Mb。該25Q系列的器件在靈活性和性能方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存器件。W25Q64將8M字節(jié)的容量分為128個(gè)塊，每個(gè)塊大小為64K字節(jié)，每個(gè)塊又分為16個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)4K個(gè)字節(jié)。W25Q64的最小擦除單位為一個(gè)扇區(qū)，也就是每次必須擦除4K個(gè)字節(jié)。所以，這需要給W25Q64開辟一個(gè)至少4K的緩存區(qū)，這樣必須要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。
W25Q64的擦寫周期多達(dá)10W次，可將數(shù)據(jù)保存達(dá)20年之久，支持2.7~3.6V的電壓，支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI，還支持雙輸出/四輸出的SPI，最大SPI時(shí)鐘可達(dá)80Mhz。
W25Q64特征：
- 支持標(biāo)準(zhǔn)、雙輸出和四輸出的SPI
- 高性能串行閃存
- 高達(dá)普通串行閃存性能的6倍
- 80Mhz的時(shí)鐘操作
- 支持160Mhz的雙輸出SPI
- 支持320Mhz的四輸出SPI
- 40MB/S的數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸速率
- 高效的“連續(xù)讀取模式”
- 低指令開銷
- 僅需8個(gè)時(shí)鐘周期處理內(nèi)存
- 允許XIP操作
- 性能優(yōu)于X16并行閃存
- 低功耗，溫度范圍寬
- 單電源2.7V至3.6V
- 4mA有源電流
- -40°C 至+85°C的正常運(yùn)行溫度范圍
- 靈活的4KB扇區(qū)構(gòu)架
- 扇區(qū)統(tǒng)一擦除（4KB）
- 塊擦除（32KB和64KB）
- 1到256個(gè)字節(jié)編程
- 超過10萬次擦除/寫循環(huán)
- 超過20年的數(shù)據(jù)保存
- 高級(jí)的安全功能
- 軟件和硬件寫保護(hù)
- 自上至下，扇區(qū)或塊選擇
- 鎖定和保護(hù)OTP
- 每個(gè)設(shè)備都有唯一的64位ID
- 有效的空間的包裝
- 8-pin SOIC 208-mil
- 8-pin PDIP 300-mil
- 8-pad WSON 8x6-mm
- 16-pin SOIC 300-mil
- W25Q64
- CS：片選信號(hào)輸入
- DO(IO1)：數(shù)據(jù)輸出（數(shù)據(jù)輸入輸出1）
- WP(IO2)：寫保護(hù)輸入（數(shù)據(jù)輸入輸出2）
- GND：地信號(hào)
- DI(IO0)：數(shù)據(jù)輸入（數(shù)據(jù)輸入輸出0）
- CLK：串行時(shí)鐘輸入
- HOLD(IO3)：Hold輸入（數(shù)據(jù)輸入輸出3）
- VCC：電源
1. IO0和IO1用于標(biāo)準(zhǔn)SPI和雙輸出SPI操作
2. IO0-IO3用于四輸出SPI操作
片選：
SPI片選引腳能夠使能和失能器件的操作。當(dāng)片選引腳為高電平時(shí)，器件沒有被選中，串行數(shù)據(jù)輸出引腳（DO或IO0，IO2，IO3，IO4）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。當(dāng)器件沒有被選中時(shí)，其功耗將會(huì)處于待機(jī)狀態(tài)下的水平，除非內(nèi)部正在擦除、運(yùn)行程序或狀態(tài)寄存器周期。當(dāng)片選引腳置為低時(shí)，器件被選中，電源消耗將增至活躍水平，可以進(jìn)行讀寫操作。電源上電后，在執(zhí)行一次操作之前，片選引腳必須由高電平轉(zhuǎn)至低電平。
串行數(shù)據(jù)輸入、輸出：
W25Q64支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI，雙輸出SPI和四輸出SPI操作。標(biāo)準(zhǔn)的SPI指令利用單向的數(shù)據(jù)輸入引腳在串行時(shí)鐘輸入上升沿串行地向器件寫入指令、地址或數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)的SPI也利用單向的數(shù)據(jù)輸出引腳在串行時(shí)鐘輸入下降沿串行地從器件讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。
雙輸出和四輸出SPI利用雙向IO引腳在串行時(shí)鐘輸入上升沿串行地向器件寫入指令、地址或數(shù)據(jù)，在串行時(shí)鐘輸入下降沿串行地從器件讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。
寫保護(hù)：
WP引腳用來防止?fàn)顟B(tài)寄存器被寫入。用于與狀態(tài)寄存器的塊保護(hù)位（SEC、TB、BP2、BP1和BP0）配合，狀態(tài)寄存器保護(hù)位（SRP），部分或整個(gè)存儲(chǔ)器陣列可以用硬件保護(hù)。WP引腳在低電平時(shí)有效。當(dāng)狀態(tài)寄存器2的QE位設(shè)置為四倍I/O時(shí)，則WP（硬件寫保護(hù)）功能不可用，因?yàn)榇藭r(shí)這個(gè)引腳被用為IO2。
HOID：
HOID引腳允許器件在有效選擇的情況下被終止。當(dāng)HOLD引腳被置為低電平時(shí)，CS引腳為低，DO引腳將處于高阻態(tài)狀態(tài)，并且DI和CLK引腳上的信號(hào)將被忽略。當(dāng)HOLD引腳被置為高電平時(shí)，器件操作將被恢復(fù)。HOLD引腳的功能通常用在當(dāng)多個(gè)器件共享同一個(gè)SPI信號(hào)的情況下。HOLD引腳在低電平時(shí)有效。當(dāng)狀態(tài)寄存器2的QE位設(shè)置為四倍I/O時(shí)，則HOLD引腳功能不可用，因?yàn)榇藭r(shí)這個(gè)引腳被用為IO3。
串行時(shí)鐘（CLK）：
SPI串行時(shí)鐘輸入引腳（CLK）為串行輸入和輸出操作提供時(shí)序。
以上，特點(diǎn)總結(jié)，如您有疑問想洽談合作，不妨來咨詢?nèi)A邦flash芯片代理-深圳穎特新科技；穎特新作為Winbond代理商，將竭盡全力為您服務(wù)，熱線0755-82591179,QQ83652985. W25Q64是華邦公司推出的大容量SPI FLASH產(chǎn)品，其容量為64Mb。該25Q系列的器件在靈活性和性能方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存器件。W25Q64將8M字節(jié)的容量分為128個(gè)塊，每個(gè)塊大小為64K字節(jié)，每個(gè)塊又分為16個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)4K個(gè)字節(jié)。W25Q64的最小擦除單位為一個(gè)扇區(qū)，也就是每次必須擦除4K個(gè)字節(jié)。所以，這需要給W25Q64開辟一個(gè)至少4K的緩存區(qū)，這樣必須要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。 W25Q64的擦寫周期多達(dá)10W次，可將數(shù)據(jù)保存達(dá)20年之久，支持2.7~3.6V的電壓，支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI，還支持雙輸出/四輸出的SPI，最大SPI時(shí)鐘可達(dá)80Mhz。
W25Q64特征。
支持標(biāo)準(zhǔn)、雙輸出和四輸出的SPI 高性能串行閃存
高達(dá)普通串行閃存性能的6倍
80Mhz的時(shí)鐘操作
支持160Mhz的雙輸出SPI
支持320Mhz的四輸出SPI
40MB/S的數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸速率
高效的“連續(xù)讀取模式”
低指令開銷
僅需8個(gè)時(shí)鐘周期處理內(nèi)存
允許XIP操作
性能優(yōu)于X16并行閃存
低功耗，溫度范圍寬
單電源2.7V至3.6V
4mA有源電流
-40°C 至+85°C的正常運(yùn)行溫度范圍
靈活的4KB扇區(qū)構(gòu)架
扇區(qū)統(tǒng)一擦除（4KB）
塊擦除（32KB和64KB）
1到256個(gè)字節(jié)編程
超過10萬次擦除/寫循環(huán)
超過20年的數(shù)據(jù)保存
高級(jí)的安全功能
軟件和硬件寫保護(hù)
自上至下，扇區(qū)或塊選擇
鎖定和保護(hù)OTP
每個(gè)設(shè)備都有唯一的64位ID
有效的空間的包裝
8-pin SOIC 208-mil
8-pin PDIP 300-mil
8-pad WSON 8x6-mm
16-pin SOIC 300-mil
CS：片選信號(hào)輸入
DO(IO1)：數(shù)據(jù)輸出（數(shù)據(jù)輸入輸出1）
WP(IO2)：寫保護(hù)輸入（數(shù)據(jù)輸入輸出2）
GND：地信號(hào)
DI(IO0)：數(shù)據(jù)輸入（數(shù)據(jù)輸入輸出0）
CLK：串行時(shí)鐘輸入
HOLD(IO3)：Hold輸入（數(shù)據(jù)輸入輸出3）
VCC：電源
注：
1. IO0和IO1用于標(biāo)準(zhǔn)SPI和雙輸出SPI操作2. IO0-IO3用于四輸出SPI操作
片選：
SPI片選引腳能夠使能和失能器件的操作。當(dāng)片選引腳為高電平時(shí)，器件沒有被選中，串行數(shù)據(jù)輸出引腳（DO或IO0，IO2，IO3，IO4）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。當(dāng)器件沒有被選中時(shí)，其功耗將會(huì)處于待機(jī)狀態(tài)下的水平，除非內(nèi)部正在擦除、運(yùn)行程序或狀態(tài)寄存器周期。當(dāng)片選引腳置為低時(shí)，器件被選中，電源消耗將增至活躍水平，可以進(jìn)行讀寫操作。電源上電后，在執(zhí)行一次操作之前，片選引腳必須由高電平轉(zhuǎn)至低電平。
串行數(shù)據(jù)輸入、輸出：
W25Q64支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI，雙輸出SPI和四輸出SPI操作。標(biāo)準(zhǔn)的SPI指令利用單向的數(shù)據(jù)輸入引腳在串行時(shí)鐘輸入上升沿串行地向器件寫入指令、地址或數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)的SPI也利用單向的數(shù)據(jù)輸出引腳在串行時(shí)鐘輸入下降沿串行地從器件讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。雙輸出和四輸出SPI利用雙向IO引腳在串行時(shí)鐘輸入上升沿串行地向器件寫入指令、地址或數(shù)據(jù)，在串行時(shí)鐘輸入下降沿串行地從器件讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。
寫保護(hù)：
WP引腳用來防止?fàn)顟B(tài)寄存器被寫入。用于與狀態(tài)寄存器的塊保護(hù)位（SEC、TB、BP2、BP1和BP0）配合，狀態(tài)寄存器保護(hù)位（SRP），部分或整個(gè)存儲(chǔ)器陣列可以用硬件保護(hù)。WP引腳在低電平時(shí)有效。當(dāng)狀態(tài)寄存器2的QE位設(shè)置為四倍I/O時(shí)，則WP（硬件寫保護(hù)）功能不可用，因?yàn)榇藭r(shí)這個(gè)引腳被用為IO2。
HOID：
HOID引腳允許器件在有效選擇的情況下被終止。當(dāng)HOLD引腳被置為低電平時(shí)，CS引腳為低，DO引腳將處于高阻態(tài)狀態(tài)，并且DI和CLK引腳上的信號(hào)將被忽略。當(dāng)HOLD引腳被置為高電平時(shí)，器件操作將被恢復(fù)。HOLD引腳的功能通常用在當(dāng)多個(gè)器件共享同一個(gè)SPI信號(hào)的情況下。HOLD引腳在低電平時(shí)有效。當(dāng)狀態(tài)寄存器2的QE位設(shè)置為四倍I/O時(shí)，則HOLD引腳功能不可用，因?yàn)榇藭r(shí)這個(gè)引腳被用為IO3。
串行時(shí)鐘（CLK）：
SPI串行時(shí)鐘輸入引腳（CLK）為串行輸入和輸出操作提供時(shí)序。以上，特點(diǎn)總結(jié)，如您有疑問想洽談合作，不妨來咨詢華邦flash芯片代理-深圳穎特新科技；穎特新作為Winbond代理商，將竭盡全力為您服務(wù)，熱線0755-82591179,QQ83652985.
編輯：Simon 最后修改時(shí)間：2019-07-07
