spi nand Flash硬件組成介紹
以華邦的W25N01GV型號(hào)進(jìn)行舉例介紹；
封裝
一般常見的有WSON和BGA封裝；
協(xié)議
走SPI協(xié)議，一般是4線模式（標(biāo)準(zhǔn)模式）：片選、時(shí)鐘、數(shù)據(jù)寫、數(shù)據(jù)讀；還有其他兩種模式：Dual/Quad SPI；
1、/CS；片選信號(hào)，低電平有效，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)需要把片選信號(hào)拉低；
2、DI, DO and IO0, IO1, IO2, IO3；數(shù)據(jù)傳輸線；
3、 /WP；寫保護(hù)，低有效，拉低時(shí)flash變?yōu)橹蛔x狀態(tài)，不能進(jìn)行寫和擦除，還可配合保護(hù)寄存器里面的值進(jìn)行block的保護(hù)；
4、CLK；時(shí)鐘信號(hào)線，可設(shè)置時(shí)鐘；
結(jié)構(gòu)
以華邦128MB spi nand為例，1片里面有1024個(gè)blocks，1個(gè)blocks里面有64個(gè)pages，每個(gè)page里面包含2048字節(jié)數(shù)據(jù)區(qū)和64字節(jié)OOB區(qū)；
由于此flash內(nèi)部ECC糾錯(cuò)能力是512Bx1，意思就是512字節(jié)數(shù)據(jù)可糾錯(cuò)1個(gè)bit位，那么2048字節(jié)數(shù)據(jù)就分位4個(gè)sector，每個(gè)sector單獨(dú)計(jì)算ECC校驗(yàn)碼，對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：
每個(gè)block的壞塊標(biāo)記一般是寫在第一個(gè)page的第一個(gè)OOB區(qū)的第一個(gè)字節(jié)，一般非0xFF為壞塊標(biāo)記，具體情況還是要參考datasheet；
讀寫
目前看到只有華邦spi nand支持連續(xù)讀功能，連續(xù)讀功能打開只需把寄存器里面的BUF=0；普通讀需要每次讀數(shù)據(jù)之前發(fā)送讀命令和地址，而連續(xù)讀只需發(fā)一次命令和地址，后面會(huì)自動(dòng)把下一個(gè)page數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好可直接讀取，提交了數(shù)據(jù)傳輸速度；
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編輯：Simon 最后修改時(shí)間：2019-05-17
