SDRAM規(guī)格、引腳介紹
芯片和模塊
記憶芯片
DDR-200:DDR-SDRAM 記憶芯片在 100MHz 下運(yùn)行
DDR-266:DDR-SDRAM 記憶芯片在 133MHz 下運(yùn)行
DDR-333:DDR-SDRAM 記憶芯片在 166MHz 下運(yùn)行
DDR-400:DDR-SDRAM 記憶芯片在 200MHz 下運(yùn)行(JEDEC制定的DDR最高規(guī)格)
DDR-500:DDR-SDRAM 記憶芯片在 250MHz 下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)
DDR-600:DDR-SDRAM 記憶芯片在 300MHz 下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)
DDR-700:DDR-SDRAM 記憶芯片在 350MHz 下運(yùn)行(非JEDEC制定的DDR規(guī)格)
芯片模塊
PC-1600內(nèi)存模塊指工作在 100MHz 下的DDR-200內(nèi)存芯片，其擁有 1.600GB/s 的帶寬
PC-2100內(nèi)存模塊指工作在 133MHz 下的DDR-266內(nèi)存芯片，其擁有 2.133GB/s 的帶寬
PC-2700內(nèi)存模塊指工作在 166MHz 下的DDR-333內(nèi)存芯片，其擁有 2.667GB/s 的帶寬
PC-3200內(nèi)存模塊指工作在 200MHz 下的DDR-400內(nèi)存芯片，其擁有 3.200GB/s 的帶寬
引腳介紹
SDRAM在讀寫數(shù)據(jù)時(shí)重點(diǎn)注意以下信號(hào):
(1)CLK:時(shí)鐘信號(hào)，為輸入信號(hào)。SDRAM所有輸入信號(hào)的邏輯狀態(tài)都需要通過CLK的上升沿采樣確定。
(2)CKE:時(shí)鐘使能信號(hào)，為輸入信號(hào)，高電平有效。CKE信號(hào)的用途有兩個(gè):一、關(guān)閉時(shí)鐘以進(jìn)入省電模式;二、進(jìn)入自刷新狀態(tài)。CKE無效時(shí)，SDRAM內(nèi)部所有與輸入相關(guān)的功能模塊停止工作。
(3)CS#:片選信號(hào)，為輸入信號(hào)，低電平有效。只有當(dāng)片選信號(hào)有效后，SDRAM才能識(shí)別控制器發(fā)送來的命令。設(shè)計(jì)時(shí)注意上拉。
(4)RAS#:行地址選通信號(hào)，為輸入信號(hào)，低電平有效。
(5)CAS#:列地址選通信號(hào)，為輸入信號(hào)，低電平有效。
(6)WE#:寫使能信號(hào)，為輸入信號(hào)，低電平有效。
當(dāng)然還包括bank[…]地址信號(hào)，這個(gè)需要根據(jù)不同的型號(hào)來確定，同樣為輸入信號(hào);地址信號(hào)A[…]，為輸入信號(hào);數(shù)據(jù)信號(hào)DQ[…]，為輸入/輸出雙向信號(hào);數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)DQM，為輸入輸出雙向信號(hào)，方向與數(shù)據(jù)流方向一致，高電平有效。當(dāng)其有效時(shí)，數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)字節(jié)被接收端屏蔽。
當(dāng)今主流
DDR3內(nèi)存。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM(四倍資料率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍)，也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品。
DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，運(yùn)作I/O電壓是1.5V，采用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續(xù)DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進(jìn)進(jìn)的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。
CWD是作為寫入延遲之用，Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式，ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能，新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engline)用來校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部中斷電阻，新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能，SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化，可以說在內(nèi)存內(nèi)，就做了電源管理的功能，同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升，確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過高導(dǎo)致燒毀的狀況，同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能，可以說針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效。
編輯：simon 最后修改時(shí)間：2019-07-22
