上海華力亮相CITE2018，55nm SONOS嵌入式閃存技術(shù)國際領(lǐng)先
第六屆電博會于4月9日－11日在深圳會展中心舉辦，展會規(guī)模超10萬平方米，中外參展商逾1800家，同期舉辦超過100場的行業(yè)研討活動，集中展示智能終端、人工智能、高端芯片、智能制造、智慧家庭等創(chuàng)新成果。
“工業(yè)4.0”、“中國制造2.0”、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、智能家居等不斷深入人們的日常生活，數(shù)據(jù)和信息安全也因此越來越重要。嵌入式閃存是以上領(lǐng)域得以快速發(fā)展的關(guān)鍵芯片和元器件。然而目前國際高端嵌入式閃存的設(shè)計和生產(chǎn)都掌握在國外少數(shù)廠家手中。
通過技術(shù)創(chuàng)新，華力微電子在55納米嵌入式高可靠性、高競爭力、高質(zhì)量閃存領(lǐng)域的技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)品市場應(yīng)用已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。就該款55nm SONOS嵌入式閃存的產(chǎn)品特點和優(yōu)勢，穎特新網(wǎng)采訪了華力微電子研發(fā)一部總監(jiān)邵華先生。
據(jù)邵華介紹，其產(chǎn)品優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高可靠性和高質(zhì)量兩個方面：
其一、高可靠性：遠(yuǎn)高于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)保持能力
55納米SONOS閃存器件的最大難點在于其可靠性，而數(shù)據(jù)保持能力則是可靠性中最大的難關(guān)。華力對傳統(tǒng)的柵氧工藝模塊和工藝集成方案進(jìn)行大膽創(chuàng)新，研發(fā)了業(yè)界首創(chuàng)的“ISSG G1 First方案”，大幅降低了熱預(yù)算。使得嵌入式閃存產(chǎn)品在極端苛刻的50萬次擦寫后數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)保持壽命仍然可以達(dá)到20年，遠(yuǎn)高于業(yè)界的1萬次擦寫后數(shù)據(jù)保持10年的標(biāo)準(zhǔn)，實現(xiàn)了高可靠性的應(yīng)用。
其二、高質(zhì)量：超低成本、高良率
華力55納米SONOS嵌入式閃存在55納米邏輯平臺上僅增加了4張光罩，與業(yè)界其它量產(chǎn)的55納米嵌入式閃存技術(shù)（需要額外加入9~12張光罩）有非常強(qiáng)的成本優(yōu)勢。另外在不采用冗余電路設(shè)計的條件下，通過晶圓邊緣WEE/EBR/ECP實驗、CMP研磨壓力邊緣優(yōu)化、PH邊緣失焦優(yōu)化、缺陷邊緣定點監(jiān)測等等，大幅提升產(chǎn)品良率，據(jù)華力微電子研發(fā)一部總監(jiān)邵華介紹，目前華力55nm SONOS嵌入式閃存已經(jīng)到97%良率，優(yōu)勢明顯。
基于產(chǎn)品明顯優(yōu)勢，華力微電子憑借55nm SONOS嵌入式閃存獲得2017 CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用獎金獎，據(jù)了解該產(chǎn)品的主要應(yīng)用領(lǐng)域為IoT、MCU、智能卡等。
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華虹集團(tuán)旗下上海華力成立于2010年1月，是國家“909”工程升級改造項目承擔(dān)主體，擁有中國大陸第一條全自動12英寸集成電路芯片制造生產(chǎn)線（以下簡稱“華虹五廠”），工藝技術(shù)覆蓋55-40-28納米各節(jié)點，月產(chǎn)能達(dá)3.5萬片。目前在浦東康橋建設(shè)的第二條12英寸生產(chǎn)線（以下簡稱“華虹六廠”），設(shè)計月產(chǎn)能4萬片，肩負(fù)國家“909”工程二次升級改造的重任，工藝技術(shù)從28納米起步，最終將具備14納米三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。
華力提供廣泛的工藝技術(shù)平臺及配套IP解決方案，全面應(yīng)用于手機(jī)通信、消費類電子、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)、穿戴電子以及汽車電子等終端產(chǎn)品。華力采取先進(jìn)工藝和特色工藝兩方面同步發(fā)展策略，一方面遵循摩爾定律路線，建立了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的55-40-28納米邏輯工藝技術(shù)平臺，另一方面專注于差異化路線，重點布局射頻、高壓、嵌入式閃存、超低功耗、NOR閃存和圖像傳感器等特色工藝平臺，致力于為國內(nèi)外芯片設(shè)計公司、IDM公司和其他系統(tǒng)公司提供先進(jìn)的工藝技術(shù)和全面的芯片制造服務(wù)。
編輯：admin 最后修改時間：2018-04-21
