臺積電晶圓代工領(lǐng)先英特爾 1 年，明后年獨霸 10、7 納米
臺積電、英特爾（IntelCorp.）在晶圓代工領(lǐng)域正面對決，英特爾在8月宣布跟設(shè)計手機(jī)、汽車芯片的ARM（ARM Holdings）敲定代工協(xié)議，看似躍進(jìn)一大步，但分析人士認(rèn)為，英特爾整體晶圓代工能力仍落后臺積電一年之久，短期內(nèi)難以對臺積電造成實質(zhì)威脅。
barron`s.com 27日報導(dǎo)，美系外資發(fā)布研究報告指出，臺積電在技術(shù)、處理ARM制程的能力、晶圓產(chǎn)能、成本結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)彈性、資產(chǎn)負(fù)債表和整體價值方面，都比英特爾來得強(qiáng)勢。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳，但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術(shù)至少兩年，因此大概比臺積電晚了一年左右。也就是說，英特爾短期內(nèi)難以對臺積電產(chǎn)生實質(zhì)威脅。
相較之下，臺積電的10納米、7納米制程技術(shù)雖落后英特爾，但臺積電比英特爾提前1至2年跨入7納米制程，可借此縮短兩家公司的差距。臺積電在獨家封裝技術(shù)“整合型扇出型封裝”（integratedfan-out，InFO）的協(xié)助下，有望在2017年、2018年霸占10納米和7納米晶圓代工市場。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
