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中國大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)“炮臺”已搭起

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:28

2015年以來,伴隨著大陸在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注與持續(xù)投入,大陸IC產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)正日趨完善,各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)調(diào)控效果初顯,尤其在晶圓制造端,浩浩蕩蕩的國際各路大軍紛紛登陸中國,國內(nèi)廠商積極重組擴張,在此期間,中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)也經(jīng)歷了從無到有的重要歷程。

中國存儲芯片幾乎完全依賴進口,量產(chǎn)方面,大陸已有Samsung、Intel、SK海力士三大巨頭設(shè)立存儲器芯片制造廠,其中Samsung西安廠和Intel大連廠主要生產(chǎn)閃存NAND Flash,SKHynix無錫主要生產(chǎn)內(nèi)存DRAM。然而由于這些外資主導(dǎo)的廠商在工藝技術(shù)上的嚴格保密,大陸本土的工程師很難走到核心技術(shù)崗位,這對大陸存儲芯片制造業(yè)的幫助非常有限。此外,紫光收購美光、入股西數(shù)曲線收購SanDisk等海外并購都遭到了美國外國投資委員會(CFIUS)的阻撓,最終告吹。這也給大陸方面提了個醒:中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展單靠并購是走不通的,必須將自主創(chuàng)新和技術(shù)引進結(jié)合起來。

目前,全球存儲芯片技術(shù)主要由Samsung、SK海力士、美光、東芝、Intel等國際大廠壟斷。閃存方面,隨著2D-NAND制程工藝來到摩爾定律的極限,各巨頭廠商紛紛開始著手開發(fā)3D-NAND技術(shù),三星32層與48層3D V-NAND產(chǎn)品與美光英特爾32層3D NAND產(chǎn)品與2015年底已正式投放市場,東芝、SanDisk、SK Hynix前期在邁入3D-NAND主流廠商的道路上稍顯遲鈍。

不過,在今年7月份,東芝和閃迪同時宣布已研發(fā)出64層的3D-NAND Flash制程技術(shù),并計劃采用該技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品在2017年上半年進行量產(chǎn),隨后三星也立即宣布于2016年底量產(chǎn)4GV-NAND(64層)產(chǎn)品?梢,在3D-NAND技術(shù)領(lǐng)域,各廠商都正處于起跑階段,距離還未完全被拉開,這對于大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是有利因素。

中國大陸在建的幾座12英寸晶圓廠中,合肥兆基科技、武漢新芯、晉江晉華都將產(chǎn)品方向關(guān)注到存儲芯片上來。其中兆基科技和晉華主導(dǎo)DRAM產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),兆基科技創(chuàng)始人坂本幸雄是日本DRAM大廠爾必達的前社長,2012年爾必達被美光收購,這不禁會引來業(yè)界猜測:未來兆基科技的DRAM技術(shù)是否有牽涉美光的IP?

但歸根到底,兆基科技整體仍由外資主導(dǎo),大陸方面能否在未來有效完成技術(shù)滲透,現(xiàn)在看來并不明朗。相比而言,晉華項目則更趨人性化,晉華借助聯(lián)電技術(shù)導(dǎo)入利基型DRAM,由晉華提供設(shè)備、資金,支付聯(lián)電技術(shù)開發(fā)費用,最終開發(fā)成果雙方共同擁有。武漢新芯則與飛索半導(dǎo)體合作主攻Flash芯片的開發(fā),8月初紫光和武漢新芯宣布聯(lián)手成立長江存儲科技有限公司,中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)國家隊規(guī)模再次提升,紫光此舉不僅整合了多方資源形成規(guī)模效應(yīng),也極大縮短了自主建立Fab產(chǎn)線的時間,并留出更多的資金用于入股和收購DRAM生產(chǎn)技術(shù)廠商,期許同時擁有Flash和DRAM的生產(chǎn)能力,力求盡塊達到中國自主生產(chǎn)記憶體的國家目標(biāo)。

對于同時擁有先進DRAM和高階3D-NAND Flash技術(shù)(與Intel共同開發(fā))的美光科技,紫光可謂覬覦已久,但鑒于中美兩國復(fù)雜的國際關(guān)系,美國政府始終不愿放手通過紫光收購美光一案。如今長江存儲科技的成立,將再次重啟與美光洽談合作事宜,計劃引進華亞科模式(由大陸提供資金和廠房,美光提供技術(shù)),如何成功激活此模式,相信對大陸方面將是一次關(guān)鍵的智慧考驗。

接下來高端技術(shù)人才的引進、本土人才培養(yǎng)及相關(guān)人才體系的完善和發(fā)展,必將排在各項工作的首位。中國在存儲芯片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域多年空白的局面已造成了相關(guān)人才的嚴重缺失,高科技人才在IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中的作用是不可替代的,所以如何引進高端人才、留住人才、培養(yǎng)本土專業(yè)人才定是大陸政府密切關(guān)注的課題。

根據(jù)大陸各新建廠建設(shè)進度,多數(shù)產(chǎn)線要到2018年才開始投片,未來2~3年內(nèi),大陸對其他廠商并不能直接構(gòu)成威脅。然而,可以預(yù)見,中國在布局存儲芯片產(chǎn)業(yè)的步伐將會越來越快,大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)的“炮臺”已經(jīng)搭起,“彈藥”及所有準(zhǔn)備工作正緊張有序開展,一旦中國擁有先進Flash和DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)能力并實現(xiàn)自給自足時,全球存儲芯片的供需體系將被重新洗牌,相信對世界幾大寡頭來說勢必會是一場血雨腥風(fēng)。



編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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