美光首個 3D NAND 芯片送樣，打破三星獨霸局面
內存的3DNAND Flash大戰(zhàn)即將開打！目前3DNAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點。
TechRadar、ComputerWorld報導，美光9日宣布開發(fā)出該公司第一款3D NAND芯片，采48層堆疊，容量為32GB。這款3D NAND將用于中高端智能手機，支持全新的儲存標準UFS2.1。
美光宣稱，新品效能比前代提升40%，尺寸更是業(yè)界最小，美光的3D NAND晶粒（die）比相同效能的平面NAND晶粒，體積縮小30%。新品已送樣給移動設備廠，預定今年底廣泛出貨。
美光移動業(yè)務部門發(fā)言人DanBingham說，該公司第二代3DNAND將為64層，研發(fā)時程尚未公布。為了支持虛擬現(xiàn)實和串流影片需求，移動設備的內存容量不斷增加，美光預估，2020年智能手機的內建內存或許會有1TB，和電腦差不多。
霸榮（Barronˋs）9日刊出Pacific Crest報告，內容預測3D NAND時代將要到來。報告稱，英特爾、美光、SK海力士（SK Hynix）、東芝、Western Digital的3D NAND應該很快就會上市。估計第三、四季3DNAND產(chǎn)品將會大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒，東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
Pacific Crest認為，3D NAND戰(zhàn)役中，美光情勢有利。該公司的3D NAND盡管層數(shù)較少，但是密度高，而且美光無可損失。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
