武漢新芯將并入紫光集團(tuán)旗下，趙偉國(guó)將任董事長(zhǎng)
先前科技新報(bào)獨(dú)家揭露，統(tǒng)籌中國(guó)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團(tuán)攜手合作，并有望獲得美光在NAND Flash的協(xié)助，現(xiàn)在事情再有新進(jìn)展，根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange說(shuō)法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來(lái)武漢新芯將并入旗下，據(jù)先前消息，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)也將出線擔(dān)任董事長(zhǎng)。
朝NANDFlash發(fā)展前進(jìn)
調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange今27日發(fā)布消息指出，紫光集團(tuán)預(yù)計(jì)于武漢成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技，未來(lái)將并入武漢新芯并統(tǒng)籌集團(tuán)下一切內(nèi)存發(fā)展項(xiàng)目，目前整體規(guī)劃朝向NANDFlash產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
DRAMeXchange認(rèn)為，紫光集團(tuán)與武漢新芯目前將著力于NAND Flash發(fā)展，除了因NAND Flash后市可期，武漢新芯原為NOR Flash大廠，在生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、廠房與產(chǎn)能建置等基礎(chǔ)建設(shè)本就有所擅長(zhǎng)。DRAMeXchange協(xié)理?xiàng)钗牡眠M(jìn)一步分析，紫光集團(tuán)則在資金募集及策略并購(gòu)等均有過(guò)人之處，透過(guò)兩強(qiáng)攜手整合資源，能使中國(guó)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產(chǎn)生更多綜效，對(duì)內(nèi)可是使未來(lái)中國(guó)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中瞄準(zhǔn)較佳的地位，對(duì)外則能提升產(chǎn)業(yè)上談判的籌碼，有助于中國(guó)建立產(chǎn)業(yè)自主性。
根據(jù)科技新報(bào)先前取得的消息，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)、大基金總經(jīng)理丁文武可能在這之中扮演重要角色，而新芯董事長(zhǎng)楊士寧等可能有異動(dòng)，而目前根據(jù)消息，趙偉國(guó)也的確會(huì)持續(xù)留在紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)此一職位。
飛索半導(dǎo)體之后再攜美光？
武漢新芯在3月底于武漢東湖高新區(qū)所擘劃的內(nèi)存基地才舉移動(dòng)土典禮，規(guī)劃用于生產(chǎn)3D-NAND Flash，預(yù)計(jì)2018年建設(shè)完成，官方預(yù)計(jì)，屆時(shí)與飛索半導(dǎo)體合作開發(fā)的3D-NAND Flash將能達(dá)到32層堆疊，初期量產(chǎn)月產(chǎn)能約20萬(wàn)片，武漢新芯目標(biāo)到2020年基地總產(chǎn)能達(dá)30萬(wàn)片/月、2030年來(lái)到100萬(wàn)片/月。
楊文得表示，3D-NANDFlash的廠房新建等投資遠(yuǎn)高于2D-NAND Flash數(shù)倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術(shù)授權(quán)，則能以較低的財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)來(lái)獲取長(zhǎng)期新產(chǎn)能的布建，更有機(jī)會(huì)在市占率拉近與三星和東芝/威騰（WD）陣營(yíng)的距離。
3D-NAND Flash現(xiàn)擴(kuò)產(chǎn)潮
目前各家大廠在3D-NAND Flash產(chǎn)能的布建，三星在西安廠的投資外，韓國(guó)平澤廠區(qū)也規(guī)劃加大新的3D-NAND Flash產(chǎn)能，東芝與西數(shù)（WD）旗下SanDisk日本Fab2廠在日前開幕，新廠也可望自2018下半年投產(chǎn)，海力士則除現(xiàn)階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D-NAND的生產(chǎn)也將從明年第一季后開始進(jìn)行。英特爾美光陣營(yíng)在今年3月擴(kuò)建新加坡Fab10X的擴(kuò)建外，英特爾大連廠轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3D-NAND Flash芯片也在這個(gè)月25日正式投產(chǎn)。
DRAMeXchange預(yù)估，2011~2016年NAND Flash位需求量的年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)47%，在SSD需求高度成長(zhǎng)的帶動(dòng)下，NANDFlash未來(lái)10年可望皆維持強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
