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村田芯片電感器性能與應(yīng)用

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2018-01-05  瀏覽:22

  片式電感器亦稱表面貼裝電感器,它與其它片式元器件(SMC及SMD)一樣,是適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)的新一代無引線或短引線微型電子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。片式電感器主要有繞線式和疊層式兩種類型。前者是傳統(tǒng)繞線電感器小型化的產(chǎn)物;后者則采用多層印刷技術(shù)和疊層生產(chǎn)工藝制作,體積比繞線型片式電感器還要小,是電感元件領(lǐng)域重點(diǎn)開發(fā)的產(chǎn)品。


  片式電感器現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

  由于微型電感器要達(dá)到足夠的電感量和品質(zhì)因數(shù)(Q)比較困難,同時(shí)由于磁性元件中電路與磁路交織在一起,制作工藝比較復(fù)雜,故作為三大基礎(chǔ)無源元件之一的電感器片式化,明顯滯后于電容器和電阻器。   作為SMC主流產(chǎn)品的片式多層瓷介電容器(MLCC),源于有引線多層瓷介電容器的芯片直接用于混合集成電路(HIC)的貼裝。早在60年代,美國JDI、Sprague公司就開始生產(chǎn)。1977年,日本松下公司在超薄型半導(dǎo)體收音機(jī)這類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,首先采用了SMT和SMC及SMD工藝。20世紀(jì)70年代末,日、美等國為適應(yīng)SMT需要,開始了片式電感器的研究開發(fā),并很快實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。


  片式電感器主要生產(chǎn)廠商分布在日本、美國、歐洲、韓國和臺(tái)灣。日本是生產(chǎn)片式電感器最早的國家,TDK、村田、Tokin和太陽誘電等公司都是具有規(guī)模生產(chǎn)能力的制造商。美國的AEM公司也是開發(fā)生產(chǎn)多層片式電感器(MLCI)的先驅(qū),在工藝上有重大創(chuàng)新。目前商品化的MLCI以通用型為主,外形尺寸有1608(即1.6×0.8mm)、1210、1206、0805和0603等規(guī)格,電感量從nH級(jí)到數(shù)百μH,額定電流從1mA到幾百個(gè)mA,自諧振頻率從數(shù)MHz到10GHz以上。

村田電感

  雖然MLCI的尺寸還可以縮小,但已接近于極限。因此,國外和我國臺(tái)灣的MLCI制造商,重點(diǎn)是進(jìn)一步擴(kuò)大通用型產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模,并致力于顯微波到微波等專用MLCI及片式EMI濾波器、LC濾波器、LC陷波器、片式扼流圈和片式中周變壓器等片式電感元件及片式復(fù)合元件的開發(fā)與生產(chǎn)。


  我國SMT/SMC及SMD起步較晚,而片式電感器更是滯后。從1984年到1992年(即從“六五”末期到“八五”初期),雖然陸續(xù)引進(jìn)了43條片式元器件生產(chǎn)線(其中片式電阻及網(wǎng)絡(luò)生產(chǎn)線15條,片式瓷介電容器14條),但由于產(chǎn)品方向主要是圍繞當(dāng)時(shí)彩電國產(chǎn)化“一條龍”工程為調(diào)諧器配套,在認(rèn)識(shí)上受到局限,并未引進(jìn)片式電感器生產(chǎn)線。


  我國有50多家電感器生產(chǎn)企業(yè),自1990年后,上無6廠、上無28廠、715廠、898和899廠等企業(yè)對(duì)片式電感器的研究開發(fā)都做過前期準(zhǔn)備工作,也試制出樣品,但因其技術(shù)難度高,引進(jìn)生產(chǎn)線投資規(guī)模大,自感心有余而力不足。


  從“八五”末期開始,國內(nèi)陸續(xù)引進(jìn)了3條MLCI生產(chǎn)線,其中深圳南虹電子陶瓷公司于1994年從AEM公司引進(jìn)的生產(chǎn)線,目前MLCI、片式磁珠及片式LC組件的年生產(chǎn)能力已達(dá)8億只。我國繞線型片式電感器的年生產(chǎn)能力已超過4億只,主要生產(chǎn)企業(yè)有貴州訊達(dá)電器公司、南京898廠、上海眾璽微電子公司和常州無線電元件六廠等。


  由于我國片式電感器起步較晚,電感元件的片式化率僅約10%,在規(guī)模、品種和水平上,與美、日等國相比,差距很大。目前還有一些單位正在或計(jì)劃引進(jìn)片式電感器生產(chǎn)線項(xiàng)目,其中清華同方和山東魯穎電子股份公司在山東臨沂市(沂南工業(yè)區(qū))引進(jìn)MLCI生產(chǎn)線項(xiàng)目已經(jīng)啟動(dòng)。


編輯:admin  最后修改時(shí)間:2018-01-05

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