介質(zhì)的可逆與不可逆決定了安規(guī)電容的極性
針對同一品牌同一系列的安規(guī)電容器，分別與溫度、容量、電壓、頻率使用環(huán)境與用途，介質(zhì)等都會影響DF值得大小，其中介質(zhì)不同會在一定程度上影響電容的耐壓，介質(zhì)的可逆與不可逆直接決定了電容的極性，同時也決定了CBB電容的耐壓高低，當容量相同時，耐壓越高的DF值就越小，頻率與溫度都是與DF值成正比的，溫度與頻率的升高都會促使DF值得升高。
安規(guī)電容
耐高壓安規(guī)電容的DF值一般情況下在溫度、容量、頻率使用環(huán)境與用途介質(zhì)等影響因素一樣的情況下DF值是不變的。一個電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)值是在某特定頻率下之Rs和Rp的合成值。因此，該元素的總損失就可以用一個和電容相串聯(lián)的電阻表示之。一只電容器會因其構(gòu)造而產(chǎn)生各種阻抗、感抗，比較重要的就是ESR等效串聯(lián)電阻及ESL等效串聯(lián)電感─這就是容抗的基礎(chǔ)。
一般情況下ESR/ESL越低安規(guī)電容器就越高級。其中ESR的高低與電容器的容量、電壓、頻率及溫度都有關(guān)連，當額定電壓固定時，容量愈大ESR愈低。有人習(xí)用將多顆小電容并接成一顆大電容以降低阻抗，其理論是電阻并聯(lián)阻值降低。但若考慮電容接腳焊點的阻抗，以小并大不見得一定會有收獲。反之，當容量固定時，選用高WV額定電壓的品種也能降低ESR;故耐高壓電容確實好處多多。頻率的影響：低頻時ESR高、高頻時ESR低;當然高溫也會造成ESR的提升。
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
