常用電容器
用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間卷繞而成，薄的化氧化膜作介質的電容器.因為氧化膜有單向導電性質,所以電解電容器具有極性.容量大，能耐受大的脈動電流，容量誤差大，泄漏電流大；普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁路、信號耦合、電源濾波。
電容量：0.47--10000u
額定電壓：6.3--450V
主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大
應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等
2、鉭電解電容器（CA）鈮電解電容（CN）
用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳溫度特性、頻率特性和可靠性均優(yōu)于普通電解電容器，特別是漏電流極小，貯存性良好，壽命長，容量誤差小，而且體積小，單位體積下能得到最大的電容電壓乘積對脈動電流的耐受能力差，若損壞易呈短路狀態(tài)超小型高可靠機件中。
電容量：0.1--1000u
額定電壓：6.3--125V
主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容
應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容
3、薄膜電容器
結構與紙質電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時電路。
a 聚酯（滌綸）電容（CL）
電容量：40p--4u
額定電壓：63--630V
主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩(wěn)定性差
應用：對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路
b 聚苯乙烯電容（CB）
電容量：10p--1u
額定電壓：100V--30KV
主要特點：穩(wěn)定，低損耗，體積較大
應用：對穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路
c 聚丙烯電容（CBB）
電容量：1000p--10u
額定電壓：63--2000V
主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差
應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路
4、瓷介電容器
穿心式或支柱式結構瓷介電容器，它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補償作用不能做成大的容量，受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。
a 高頻瓷介電容（CC）
電容量：1--6800p
額定電壓：63--500V
主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好
應用：高頻電路
b 低頻瓷介電容（CT）
電容量：10p--4.7u
額定電壓：50V--100V
主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差
應用：要求不高的低頻電路
5、獨石電容器
(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料，疊合后一次繞結成一塊不可分割的整體，外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積極小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。
容量范圍：0.5PF--1UF
耐壓：二倍額定電壓。
電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。
應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。
6、紙質電容器
一般是用兩條鋁箔作為電極，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成。制造工藝簡單，價格便宜，能得到較大的電容量?
一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路。
7、微調(diào)電容器
電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個電容值。 瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也小，通？煞譃閳A管式及圓片式兩種。 云母和聚苯乙烯介質的通常都采用彈簧式東，結構簡單，但穩(wěn)定性較差。 線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復調(diào)試的場合使用。
a 空氣介質可變電容器
可變電容量：100--1500p
主要特點：損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等
應用：電子儀器，廣播電視設備等
b 薄膜介質可變電容器
可變電容量：15--550p
主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大
應用：通訊，廣播接收機等
c 薄膜介質微調(diào)電容器
可變電容量：1--29p
主要特點：損耗較大，體積小
應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償
d 陶瓷介質微調(diào)電容器
可變電容量：0.3--22p
主要特點：損耗較小，體積較小
應用：精密調(diào)諧的高頻振蕩回路
8、陶瓷電容器
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。
9、玻璃釉電容器（CI）
由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質再以銀層電極經(jīng)燒結而成"獨石"結構性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達500V，損耗tgδ0.0005～0.008
電容量：10p--0.1u
額定電壓：63--400V
主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）
應用：脈沖、耦合、旁路等電路
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
