電子元器件基礎(chǔ)知識（1）——半導體器件
電子元器件基礎(chǔ)知識（1）——半導體器件
一、 中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數(shù)字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
日本半導體分立器件型號命名方法
二、日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。
美國半導體分立器件型號命名方法
三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。
第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。
第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。
第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。
四、 國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻䴓O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。
第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔的標志。
除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：
1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導體器件
第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。
俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。
一、半導體二極管參數(shù)符號及其意義
CT---勢壘電容
Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù)；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?br />PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)ǹ偹矔r耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關(guān)斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）
VL ---極限電壓
二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發(fā)射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發(fā)射極輸入電容
Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容
Cn---中和電容（外電路參數(shù)）
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe---共發(fā)射極輸出電容
Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容
Cre---共發(fā)射極反饋電容
Cic---集電結(jié)勢壘電容
CL---負載電容（外電路參數(shù)）
Cp---并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）
BVcbo---發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結(jié)擊穿電壓
BVebo--- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓
BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓
BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓
D---占空比
fT---特征頻率
fmax---最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)
hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導
h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)
hie---共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗
hre---共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)
hfe---共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)
hoe---共發(fā)射極小信號開路輸出導納
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices---發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ISB---二次擊穿電流
IAGC---正向自動控制電流
Pc---集電極耗散功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pi---輸入功率
Po---輸出功率
Posc---振蕩功率
Pn---噪聲功率
Ptot---總耗散功率
ESB---二次擊穿能量
rbb'---基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）
rbb'Cc---基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積
rie---發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
roe---發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
RE---外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）
RB---外接基極電阻（外電路參數(shù)）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數(shù)）
RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）
RL---負載電阻（外電路參數(shù)）
RG---信號源內(nèi)阻
Rth---熱阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Ts---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Tstg---貯存溫度
td----延遲時間
tr---上升時間
ts---存貯時間
tf---下降時間
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
VCB---集電極-基極（直流）電壓
VCE---集電極-發(fā)射極（直流）電壓
VBE---基極發(fā)射極（直流）電壓
VCBO---基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO---基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO---發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓
Vp---穿通電壓。
VSB---二次擊穿電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VEE---發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VCE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC---正向自動增益控制電壓
Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
V n---噪聲電壓
Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù)；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?br />PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)ǹ偹矔r耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關(guān)斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）
VL ---極限電壓
三、場效應管參數(shù)符號意義
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）
di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
ID---漏極電流（直流）
IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態(tài)漏極電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開路時，截止柵電流
IGSO---漏極開路時，截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時截止柵電流
IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
gfs---正向跨導
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導
gds---漏源電導
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
Ku---傳輸系數(shù)
L---負載電感（外電路參數(shù)）
LD---漏極電感
Ls---源極電感
rDS---漏源電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
RL---負載電阻（外電路參數(shù)）
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
to(on)---開通延遲時間
td(off)---關(guān)斷延遲時間
ti---上升時間
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tf---下降時間
trr---反向恢復時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓（直流）
VGS---柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
V（BR）DSS---漏源擊穿電壓
V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數(shù)
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
編輯：admin 最后修改時間：2017-09-05
