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cog電容與NPO電容的區(qū)別所在

關(guān)鍵字:電容材質(zhì) NPO電容 C0G電容 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2017-09-05  瀏覽:81

選購電容的時(shí)候都是有一定的要求和標(biāo)準(zhǔn)的。不僅要選擇品牌知名度高的,更要根據(jù)相關(guān)的參數(shù)來選擇。相關(guān)的參數(shù)是能夠有效選擇正確電容的重要參考。因?yàn)楦鶕?jù)參數(shù)可以了解到電容適宜的溫度和場所。

就拿cog電容來說,C0G電容器具有高溫度補(bǔ)償特性,適合作旁路電容和耦合電容。這是最為基本的常識,在參數(shù)中都會呈現(xiàn)出來。

COG即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以大大減小LCD模塊的體積,且易于大批量生產(chǎn),適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的LCD,如:手機(jī),PDA等便攜式產(chǎn)品,這種安裝方式,在IC生產(chǎn)商的推動(dòng)下,將會是今后IC與LCD的主要連接方式。

相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。

在諸多的電容中,NPO與cog電容一樣都是屬于溫度補(bǔ)償型電容。而NPO的電容器采用的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。

cog電容與NPO電容是有著本質(zhì)區(qū)別的。但是都是屬于溫度補(bǔ)償型電容,因此在選擇的時(shí)候需要分辨清楚兩者,避免混淆而導(dǎo)致選擇不當(dāng)。

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2023-05-26

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