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納芯微驅(qū)動芯片NSD1624,有效解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負壓和高dv/dt

關(guān)鍵字:納芯微 驅(qū)動芯片 發(fā)布時間:2022-06-23

NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動芯片,驅(qū)動電流高達+4/-6A,可用于驅(qū)動MOSFET/IGBT等各種功率器件。

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可廣泛應(yīng)用于

  • 光伏、儲能等新能源領(lǐng)域

  • 空調(diào)壓縮機、工業(yè)電機驅(qū)動

  • 高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源

  • 半橋、全橋、LLC電源拓撲

如下圖NSD1624功能框圖所示,納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于高壓半橋驅(qū)動中,使得高壓輸出側(cè)可以承受高達1200V的直流電壓,同時SW pin可以滿足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求?蛇m用于各種高壓半橋、全橋、LLC電源拓撲上。

NSD1624輸入邏輯可兼容TTL/CMOS,方便控制。高壓側(cè)和低壓側(cè)均具備獨立的供電欠壓保護功能(UVLO),能在10~20V電壓范圍內(nèi)工作。此外,NSD1624可提供SOP14,SOP8,LGA 4*4mm多種封裝形式。

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NSD1624功能框圖

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NSD1624簡化應(yīng)用電路

解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負壓和高dv/dt的痛點

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圖一:半橋驅(qū)動IC典型應(yīng)用電路圖示

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圖二:Q1、Q2管子開關(guān)過程中,SW產(chǎn)生震蕩和負壓

上圖一所示是半橋驅(qū)動IC非常典型的應(yīng)用電路。在Q1、Q2管子開關(guān)過程中,SW 會產(chǎn)生一定程度的震蕩,同時會有負壓產(chǎn)生,如上圖二所示。如果驅(qū)動IC SW pin 耐負壓能力比較低,就會導致IC損壞。

SW pin 產(chǎn)生震蕩和負壓的原因是:當上管關(guān)閉時,由于負載呈感性,電流不能突變,電流便會從GND 通過下管的體二極管進行續(xù)流,如圖一的紅色箭頭方向所示。在真實電路中,該電流路徑上許多地方會存在寄生電感,如圖一的綠色電感。?

SW 的電壓 Usw=-Lss * (di/dt),通過公式可以看出,續(xù)流電流通過路徑中的寄生電感,會在SW上產(chǎn)生負壓。如果負載電流越大,開關(guān)頻率越高,即di/dt 大,同時電路中寄生電感越大,即Lss 值越大,則SW產(chǎn)生的震蕩和負壓就會越大,就會越容易損壞驅(qū)動IC。

此外,開關(guān)頻率越大,SW產(chǎn)生的dv/dt就越大。如果選擇的驅(qū)動IC dv/dt 抗干擾能力不足,便會導致驅(qū)動IC內(nèi)部邏輯錯誤,可能會使得驅(qū)動IC的HO 和 LO同時輸出高電平,使得上下管同時打開,造成短路,甚至燒壞管子。

納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于NSD1624 高壓半橋IC中,很好解決了上述問題,即:SW pin負壓和高dv/dt的痛點。該創(chuàng)新技術(shù),使得NSD1624 SW pin 電壓能夠承受高達±1200V,可以承受非常高的負壓;同時dV/dt抗干擾能力超過100kv/us。因而 NSD1624 非常適合高頻、高壓、高可靠性的應(yīng)用場景,符合電源行業(yè)發(fā)展的趨勢。

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免費送樣

NSD1624 系列產(chǎn)品均可提供樣品,如需申請樣片或訂購可郵件至sales@novosns.com或撥打0512-62601802,更多信息敬請訪問www.novosns.com

關(guān)于納芯微

納芯微電子(NOVOSENSE)是國內(nèi)高性能高可靠性模擬及混合信號芯片設(shè)計公司,聚焦感知、驅(qū)動、系統(tǒng)互聯(lián)方向,提供傳感器、信號鏈、隔離與接口、功率驅(qū)動、電源管理等豐富的半導體產(chǎn)品及解決方案,并被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)控制、信息通訊及消費電子領(lǐng)域。

公司以『“感知”驅(qū)動“未來”,構(gòu)建萬物互聯(lián)的“芯”世界』為使命,致力于為數(shù)字世界和現(xiàn)實世界的連接提供芯片級解決方案。

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