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RAM（Random Access Memory）的全名為隨機存取記憶體，它相當于PC機上的移動存儲，用來存儲和保存數(shù)據(jù)的。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質（可稱作系統(tǒng)內存）。
不過，當電源關閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個長期的存儲器中（例如硬盤）。正因為如此，有時也將RAM稱作“可變存儲器”。RAM內存可以進一步分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動態(tài)內存（DRAM）兩大類。DRAM由于具有較低的單位容量價格，所以被大量的采用作為系統(tǒng)的主記憶。
ROM（Read Only Memory）的全名為唯讀記憶體，它相當于PC機上的硬盤，用來存儲和保存數(shù)據(jù)。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無法更改，因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途，F(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM就不會。由于ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當麻煩，因此就有了Flash Memory的發(fā)展 ，F(xiàn)lash Memory具有ROM不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時候任意更改資料 ，不過單價也比普通的ROM要高。
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。
SRAM
利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
SRAM速度非？欤悄壳白x寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。動態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM）保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。
DRAM
利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器。由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。
SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步
DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準－Rambus
DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR
RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
內存工作原理：內存是用來存放當前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態(tài)內存（即DRAM），動態(tài)內存中所謂的"動態(tài)"，指的是當我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
ROM的分類
ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，
PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產品，現(xiàn)在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。
另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。
FLASH存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。
目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN
Flash。
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。
NAND
Flash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND
Flash上的代碼，因此好多使用NAND
Flash的開發(fā)板除了使用NAND
Flash以外，還作上了一塊小的NOR
Flash來運行啟動代碼。
一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND
FLASH，最常見的NAND
FLASH應用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（Disk On
Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。
在嵌入式開發(fā)中，如uboot的移植，kernel的移植都需要對Flash 有基本的了解。下面細說一下標題中的中Flash中的關系
一，F(xiàn)lash的內存存儲結構
flash按照內部存儲結構不同，分為兩種：nor flash和nand flash。
NorFLASH使用方便，易于連接，可以在芯片上直接運行代碼，穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容量時有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統(tǒng)中作為 FLASH ROM。
相對于NorFLASH，NandFLASH強調更高的性能，更低的成本，更小的體積，更長的使用壽命。這使NandFLASH很擅于存儲純資料或數(shù)據(jù)等，在嵌入式系統(tǒng)中用來支持文件系統(tǒng)。
1，Nand Flash
在工藝制程方面分NAND flash有兩種類型：MLC和SLC。MLC和SLC屬于兩種不同類型的NAND FLASH存儲器。
SLC全稱是Single-Level Cell，即單層單元閃存，而MLC全稱則是Multi-Level Cell，即為多層單元閃存。
它們之間的區(qū)別，在于SLC每一個單元，只能存儲一位數(shù)據(jù)，MLC每一個單元可以存儲兩位數(shù)據(jù)，MLC的數(shù)據(jù)密度要比SLC 大一倍。在頁面容量方面分NAND也有兩種類型：大頁面NAND flash（如：HY27UF082G2B）和小頁面NAND flash（如:K9F1G08U0A）。
這兩種類型在頁面容量，命令序列、地址序列、頁內訪問、壞塊標識方面都有很大的不同，并遵循不同的約定所以在移植驅動時要特別注意。
2，Nor Flash
在通信方式上Nor Flash 分為兩種類型：CFI Flash和 SPI Flash。
a，CFI Flash
英文全稱是common flash interface,也就是公共閃存接口，是由存儲芯片工業(yè)界定義的一種獲取閃存芯片物理參數(shù)和結構參數(shù)的操作規(guī)程和標準。CFI有許多關于閃存芯片的規(guī)定，有利于嵌入式對FLASH的編程，F(xiàn)在的很多NOR FLASH 都支持CFI，但并不是所有的都支持。
CFI接口，相對于串口的SPI來說，也被稱為parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定義的，所以，有的又成CFI接口為JEDEC接口。所以，可以簡單理解為：對于Nor Flash來說，CFI接口＝JEDEC接口＝Parallel接口 = 并行接口
b，SPI Flash
serial peripheral interface串行外圍設備接口,是一種常見的時鐘同步串行通信接口。
c，CFI Flash 和 SPI Flash 比較
SPI flash和 CFI Flash 的介質都是Norflash ，但是SPI 是通過串行接口來實現(xiàn)數(shù)據(jù)操作，而 CFI Flash 則以并行接口進行數(shù)據(jù)操作，SPI容量都不是很大，市場上 CFI Flash 做大可以做到128Mbit，而且讀寫速度慢，但是價格便宜，操作簡單。而parallel接口速度快，容量上市場上已經有1Gbit的容量，價格昂貴
快閃存儲器（英語：Flash Memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，以及在電腦與其他數(shù)字產品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲器，所以單就保存數(shù)據(jù)而言, 它是不需要消耗電力的。
與硬盤相比，閃存也有更佳的動態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動設備廣泛采用的原因。閃存還有一項特性：當它被制成儲存卡時非？煽，即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢于讀取速度。
NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當時ROM芯片主要用來存儲幾乎不需更新的代碼，例如電腦的BIOS或機上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環(huán)，它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之后跳槽到成本較低的 NAND Flash。
NAND Flash式東芝在1989年的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)上發(fā)表的， 要在NandFlash上面讀寫數(shù)據(jù)，要外部加主控和電路設計。。NAND Flash具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數(shù)也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并沒有隨機存取外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進行讀取，NAND Flash典型的區(qū)塊大小是數(shù)百至數(shù)千比特。
因為多數(shù)微處理器與微控制器要求字節(jié)等級的隨機存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設備。NAND Flash非常適合用于儲存卡之類的大量存儲設備。第一款創(chuàng)建在NAND Flash基礎上的可移除式存儲媒體是SmartMedia，此后許多存儲媒體也跟著采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。
eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協(xié)會所訂立的，eMMC 相當于 NandFlash+主控IC ，對外的接口協(xié)議與SD、TF卡一樣，主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規(guī)格。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商就能專注于產品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，同樣的重要。
eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設備（Nand Flash）及主控制器，所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。
